[发明专利]制造半导体的方法和设备

权利要求书

1.一种形成多个半导体芯片封装的方法，所述方法包括：

a)提供基片面板，其待分成多个基片，每个基片用于形 成所述多个半导体芯片封装中的一个，所述基片面板具有第一 热膨胀系数(CTE)；

b)随着将部件安装在所述基片面板上而提供用于支撑所 述基片面板的托架，所述托架具有第二CTE，该第二CTE小 于所述第一CTE；

c)分别将所述基片面板和所述托架加热至第一和第二高 温；

d)将在所述第一高温的所述基片面板安装到所述托架以 提供所述托架和所述基片面板之间的连接，所述托架处于所述 第二高温；

e)将所述托架和所述基片面板从所述第一和第二高温冷 却，由此在至少一个方向将所述基片面板张紧；以及

f)从所述基片面板拆除所述托架。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二高温相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述托架和所述基片面板之 间的连接是机械连接，从而当所述托架和所述基片面板冷却 时，该托架将在纵向和横向的至少一个方向上向所述基片面板 施加张力。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述机械连接包括：所述托 架和所述基片面板之一包括多个突出，其适于容纳在所述托架 和所述基片面板的另一个中对应的多个槽中，从而所述基片面 板在纵向和横向的至少一个方向上由容纳在所述基片面板的 所述槽中的所述突出施加的力张紧。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述突出在所述托架上，所 述槽在所述基片面板中。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述突出和所述槽配置为当 所述托架加热超过所述第一高温以及所述基片面板加热超过 所述第二高温时，允许所述基片面板膨胀而所述突出不会将所 述基片面板压缩。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接是可操作的以当所 述托架加热超过所述第一高温和所述基片面板加热超过所述 第二高温时，允许所述基片面板膨胀而所述托架不会将所述基 片面板压缩。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在(c)之后，

g)将多个模片安装并电连接到所述基片面板。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述安装和电连接包括回流 多个焊接凸起。

10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括，在(d)之后，

h)后底部填充所述多个模片。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在(d)之后但在(e) 之前，

i)将加强面板贴附到所述基片面板从而所述基片面板设 在所述托架和所述加强面板之间。

12.根据权利要求10所述的方法，，进一步包括在(f)之后

j)将所述基片面板、所述多个模片和所述加强面板分割 成形为所述多个半导体芯片封装，每个具有所述多个模片的至 少一个。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述基片面板具有薄芯。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述基片面板无芯。

15.根据权利要求7所述的方法，其中所述基片面板具有薄芯或者 无芯。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述基片面板具有薄芯或 者无芯。