[发明专利]用于通过APC控制策略来减少曝光场内的覆盖误差的方法及系统有效
申请号: | 200780032454.5 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101535898A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | R·泽而特曼;B·舒尔茨;F·亨普尔;U·舒尔策 | 申请(专利权)人: | 先进微装置公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程 伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 通过 apc 控制 策略 减少 曝光 场内 覆盖 误差 方法 系统 | ||
1.一种减少覆盖误差的方法,包括:
产生微结构器件的第一器件层(186)及第二器件层(187)的多个不同 组合的覆盖修正数据(140),该第一器件层(186)由一个或多个第一光掩 膜(181)界定,该第二器件层(187)由一个或多个第二光掩膜(182)界定, 该第一器件层(186)及第二器件层(187)通过使用多个光刻工具(183)而 形成,该覆盖补偿数据(140)代表从对于第一光掩膜与光刻工具的每一 组合以及对于第二光掩膜与光刻工具的每一组合的该第一光掩膜(181) 及第二光掩膜(182)内的第一多个测量位置(181a)得到的测量数据;
使用所述第一光掩膜(181)之一以及该多个光刻工具(183)之一在第 一产品衬底(180)上形成该第一器件层(186);以及
使用该覆盖修正数据(140)以及从其上形成有该第一层及第二层的 先前被处理过的衬底的第二多个测量位置(185a)所得到的覆盖测量数 据(110),将用于该多个光刻工具(183)之一的所述第二光掩膜(182)之一 对准到该第一产品衬底(184)上形成的该第一器件层(186),该第二多个 测量位置(185a)少于该第一多个测量位置(181a),
其中,产生该覆盖修正数据(140)包括:使用不同的光刻工具/光 掩膜对以形成该第一器件层及第二器件层的该多个不同组合,以及测 量每一组合的该第一多个测量位置中的每一个的覆盖数据。
2.如权利要求1所述的方法,其中,产生该覆盖修正数据(140)包 括:产生(142)该第一光掩膜(181)及第二光掩膜(182)中的每一个的各自 的放置数据组;以及产生(144)该多个光刻工具中的每一个的成像变形 数据组。
3.如权利要求2所述的方法,其中,产生(142)所述各自的放置数 据组包括:在该第一多个测量位置(181a、182a)中的每一个提供放置测 量标记。
4.如权利要求1所述的方法,其中,产生该覆盖修正数据(140)包 括:使用不同的光刻工具/光掩膜对以形成该第一器件层及第二器件 层的多个不同组合;以及测量每一组合的该第一多个测量位置中的每 一个的覆盖数据。
5.如权利要求1所述的方法,其中,该覆盖修正数据(140)确定被 用来作为控制该第二层的对准的被操纵变量的对准参数的目标值(130) 的偏移值。
6.一种减少覆盖误差的方法,包括:
界定用来形成微结构器件的第一器件层(186)以及与该第一器件层 对准的第二器件层(187)的多个光刻工具(183)/光罩(181、182)组合的 覆盖数据映像(140),其中使用了所述光刻工具/光罩组合中的两个分 别的光刻工具/光罩组合,该映像(140)基于空间分布的第一多个测量 位置(181a、182a);
从其上形成有该第一器件层(186)及第二器件层(187)的第一产品衬 底(180)得到覆盖测量数据(110),其中从空间分布的第二多个测量位置 (185a)得到该覆盖测量数据(110),该第二多个测量位置(185a)少于该第 一多个测量位置(181a、182a);以及
根据覆盖数据的映像(140)以及该覆盖测量数据(110),控制(130)该 第一器件层(186)与该第二器件层(187)间的对准,其中该第一器件层采 用包括用于该第一器件层(186)的光罩(181)的第一光刻工具/光罩组合 在第二产品衬底上形成,该第二器件层通过包括用于该第二器件层(187 的光罩(182)的第二光刻工具/光罩组合形成。
7.如权利要求6所述的方法,其中,界定该覆盖修正数据映像(140) 包括:根据比该第二多个测量位置(185a)提供了更高的空间覆盖度的 放置测量位置(181a、182a),而确定该多个光刻工具/光罩组合中的每 一个光罩的放置数据(141);以及确定所使用的每个光刻工具的透镜变 形特征记号(143)。
8.如权利要求7所述的方法,进一步包括:根据该放置数据而确 定所述光罩中的每一个的重合映像(142)。
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