[发明专利]减少乙烯基芳族聚合物中残留物含量的方法有效
申请号: | 200780032518.1 | 申请日: | 2007-07-13 |
公开(公告)号: | CN101511883A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 托马斯-莫里斯·鲁塞尔;布鲁诺·武伊莱明;弗朗索瓦·法朱拉 | 申请(专利权)人: | 道达尔石化法国公司;国家科学研究中心 |
主分类号: | C08F12/00 | 分类号: | C08F12/00;C08F6/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋 莉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 乙烯基 聚合物 残留物 含量 方法 | ||
1.减少乙烯基芳族聚合物中残留物含量的方法,所述残留物为100~ 1000ppm并且包括未聚合的乙烯基芳族单体,其中使熔融状态的所述乙烯基 芳族聚合物与能够催化在所述乙烯基芳族聚合物上的所述残留乙烯基芳族 单体的烷基化的粉末固体接触。
2.权利要求1的方法,其中所述乙烯基芳族聚合物包括:
i)60~100重量%的一种或多种C8-12乙烯基芳族单体;和
ii)0~40重量%的一种或多种选自丙烯酸的C1-4烷基酯或甲基丙烯酸的 C1-4烷基酯、丙烯腈和甲基丙烯腈的单体;该聚合物可接枝在0~20重量% 的一种或多种橡胶状聚合物上或包藏在0~20重量%的一种或多种橡胶状聚 合物内。
3.权利要求1的方法,其中所述粉末固体的粒径为5nm~200μm。
4.权利要求2的方法,其中所述粉末固体的粒径为5nm~200μm。
5.权利要求1的方法,其中所述粉末固体的比表面积高于100m2/g。
6.权利要求2的方法,其中所述粉末固体的比表面积高于100m2/g。
7.权利要求3的方法,其中所述粉末固体的比表面积高于100m2/g。
8.权利要求4的方法,其中所述粉末固体的比表面积高于100m2/g。
9.权利要求1的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
10.权利要求2的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
11.权利要求3的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
12.权利要求4的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
13.权利要求5的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
14.权利要求6的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
15.权利要求7的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
16.权利要求8的方法,其中所述粉末固体没有多孔性。
17.权利要求1的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
18.权利要求2的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
19.权利要求3的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
20.权利要求4的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
21.权利要求5的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
22.权利要求6的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
23.权利要求7的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
24.权利要求8的方法,其中所述粉末固体的孔径为1.8nm~20nm。
25.前述权利要求中任一项的方法,其中所述粉末固体的化学组成为二 氧化硅-氧化铝。
26.权利要求25的方法,其中所述粉末固体选自无定形二氧化硅氧化 铝、晶态二氧化硅氧化铝和热解二氧化硅氧化铝。
27.权利要求25的方法,其中原子比Si/Al为2.5~150。
28.权利要求26的方法,其中原子比Si/Al为2.5~150。
29.权利要求1-24中任一项的方法,其中所述粉末固体的酸度低于9。
30.权利要求25的方法,其中所述粉末固体的酸度低于9。
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