[发明专利]可调太赫辐射产生方法

权利要求书

1.一种可调太赫辐射产生方法，所述方法包括以下的步骤：

(A)提供磁振子增益介质；其中所述磁振子增益介质支持非平衡磁振子的产生；其中所述磁振子增益介质被放置于恒温器内以使磁振子增益介质的温度保持在临界温度之下；

(B)将非平衡电子注入所述磁振子增益介质；其中，所述非平衡电子在所述磁振子增益介质中的传播导致所述非平衡磁振子的产生；以及其中，在所述非平衡磁振子之间的相互作用导致所述太赫辐射的产生；以及

(C)通过使外部参数变化来调整所述太赫辐射的频率；其中所述外部参数是从以下构成的组中的一个选择的：外部磁场；外部电场；以及外部流体静压力。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(A)进一步包括以下的步骤：

(A2)从铁磁材料中选择所述磁振子增益介质。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述步骤(A2)进一步包括以下的步骤：

(A2，1)将包括被选铁磁材料的所述磁振子增益介质放置于所述恒温器内以使被选铁磁材料的温度保持在其居里温度之下。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(B)进一步包括以下的步骤：

B1将非平衡电子泵入所述磁振子增益介质。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(B)进一步包括以下的步骤：

B2将极化非平衡电子泵入所述磁振子增益介质。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(B)进一步包括以下的步骤：

B3将足够数量的极化非平衡电子泵入所述磁振子增益介质，其中，泵入的足够数量的极化非平衡电子导致在所述磁振子增益介质内产生非平衡磁振子。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(B)进一步包括以下的步骤：

B4将阈值数量的极化非平衡电子泵入所述磁振子增益介质，其中，泵入的阈值数量的极化非平衡电子足以在所述磁振子增益介质内产生磁振子雪崩效应。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使外部参数变化来调整太赫辐射的频率的步骤(C)进一步包括以下的步骤：

(C1)施加外部磁场；以及

(C2)使所述外部磁场的值改变；其中所产生的太赫辐射的频率因所述非平衡磁振子的能量与外部磁场的值的相关性而改变。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使外部参数变化来调整太赫辐射的频率的步骤(C)进一步包括以下的步骤：

(C3)施加外部流体静压力；以及

(C4)使所述外部流体静压力的值改变；其中所产生的太赫辐射的频率因所述非平衡磁振子的劲度与外部流体静压力的值的相关性而改变。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使外部参数变化来调整太赫辐射的频率的步骤(C)进一步包括以下的步骤：

(C5)施加外部电场；以及

(C6)使所述外部电场的值改变；其中所产生的太赫辐射的频率因所述非平衡磁振子的劲度与外部电场的值的相关性而改变。

11.一种可调太赫辐射产生装置，其包括：

(A)磁振子增益介质；其中所述磁振子增益介质支持非平衡磁振子的产生；其中所述磁振子增益介质被放置于恒温器内以使磁振子增益介质的温度保持在临界温度之下；

(B)用于将非平衡电子注入所述磁振子增益介质的设备；其中，所述非平衡电子在所述磁振子增益介质中的传播导致所述非平衡磁振子的产生；以及其中，在所述非平衡磁振子之间的相互作用导致所述太赫辐射的产生；以及

(C)用于调整所产生的太赫辐射的频率的设备，还包括用于使外部参数变化的设备；其中所述外部参数是从以下构成的组中的一个选择的：外部磁场；外部电场；以及外部流体静压力。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于所述装置进一步包括：

(D)恒温器，其中，所述磁振子增益介质被放置于所述恒温器内，以及其中，所述恒温器被配置成使所述磁振子增益介质的温度保持在临界温度之下。

13.如权利要求11所述的装置，其特征在于所述设备(B)进一步包括：

(B1)用于将非平衡电子泵入所述磁振子增益介质的设备。