[发明专利]电可调太赫激光振荡装置有效

专利信息
申请号: 200780032896.X 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN101512850A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 关口亮太;尾内敏彦 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02;H01S5/0625;H01S5/34;H01S5/227;H01S5/30
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨国权
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 可调 激光 振荡 装置
【权利要求书】:

1.一种振荡装置,包括:相对于将振荡的电磁波具有增益的增益介质;用于使电磁波谐振的腔结构;以及用于将泵浦能量注入增益介质的能量注入部件,

其中,增益介质被夹在第一负介电常数介质与第二负介电常数介质之间,所述第一和第二介电常数介质中的每一个是如下这样的,即,相对于所述电磁波其介电常数实部为负的,以及

为所述第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加部件,以便施加电场,用于改变在与增益介质的边界部分形成的耗尽区,

所述能量注入部件是设置在第一负介电常数介质上的第一电极以及设置在第二负介电常数介质上的第二电极,以及

所述电场施加部件是设置在第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个上的第三电极。

2.如权利要求1所述的振荡装置,

其中,所述腔结构被配置为包括用于传播电磁波的波导,

所述增益介质沿着电磁波的传播方向延伸,并且被夹在沿其厚度方向位于上部和下部的第一负介电常数介质的第一覆层与第二负介电常数介质的第二覆层之间,以及

所述波导被配置为包括增益介质、第一覆层和第二覆层。

3.如权利要求1所述的振荡装置,

其中,所述负介电常数介质被配置为包括金属、掺杂载流子的半导体、或金属和掺杂载流子的半导体。

4.如权利要求1所述的振荡装置,

其中,所述增益介质是基于光子辅助隧穿的谐振隧穿二极管。

5.如权利要求1所述的振荡装置,

其中,所述电磁波是包括从30GHz到30THz的频率区域内的频率的电磁波。

6.一种振荡装置,用于振荡具有从30GHz到30THz的频率区域中选择的频率的电磁波,

所述振荡装置包括:

第一负介电常数介质,其介电常数实部相对于所述电磁波为负;

第二负介电常数介质,其介电常数实部相对于所述电磁波为负;

增益介质,其夹在第一负介电常数介质与第二负介电常数介质之间,并相对于所述电磁波具有增益;

腔结构,用于使所述电磁波谐振;以及

驱动电极,用于将载流子注入增益介质以驱动增益介质,

其中,所述振荡装置还包括:控制电极,用于改变在第一和第二负介电常数介质中的至少一个与增益介质之间形成的耗尽区的厚度,以控制振荡波长,并且所述控制电极被配置为能够独立于驱动电极来施加电势。

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