[发明专利]具有II型半导体接触系统的安全文件和/或有价文件有效
申请号: | 200780033146.4 | 申请日: | 2007-09-05 |
公开(公告)号: | CN101511601A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | M·普弗卢戈夫特 | 申请(专利权)人: | 联邦印刷厂有限公司 |
主分类号: | B42D15/00 | 分类号: | B42D15/00;B42D15/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张 涛;刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 ii 半导体 接触 系统 安全 文件 | ||
1.一种包括具有半导体分区的安全特征的安全文件和/或有价文件,该半 导体分区包括至少一个第一半导体层和第二半导体层,该至少一个第一半导 体层和第二半导体层相互接触并且形成类型II半导体接触系统。
2.根据权利要求1所述的安全文件和/或有价文件,其中半导体分区通 过下面的步骤产生:
A)在衬底上外延生长第一阻挡层,
B)在阻挡层上外延生长第一半导体材料的第一半导体层,
C)在第一半导体层上,外延生长第二半导体材料的第二半导体层,
D)在第二半导体层上外延生长第二阻挡层,
E)分割在步骤A)到D)中获得的层结构,其中该分割通过在保 持该层结构的条件下在垂直于该层结构的平面的方向上分成微粒来进 行,
其中对第一半导体材料和第二半导体材料进行选择并且进行掺杂, 使得第二半导体材料的价带和导带分别以相同的符号相对于第一半导 体材料的价带和导带发生移动。
3.根据权利要求2所述的安全文件和/或有价文件,其中在第一半导体 层和第二半导体层之间外延生长分离层半导体材料的分离层,并且其中 分离层半导体材料具有导带和价带,该导带与第一半导体材料的导带更 接近,该价带与第二半导体材料的价带更接近,或者分离层半导体材料 的该导带与第二半导体材料的导带更接近,分离层半导体材料的该价带 与第一半导体材料的价带更接近。
4.根据权利要求1或2所述的安全文件和/或有价文件,其中半导体分区 被配置为至少一个半导体微粒,该半导体微粒被设置在安全文件和/或有价文 件里面或者表面上。
5.根据权利要求4所述的安全文件和/或有价文件,其中多个半导体微 粒设置在印刷墨水中,该印刷墨水被引入到安全文件和/或有价文件的 里面或者被施加在安全文件和/或有价文件上。
6.根据权利要求1或2所述的安全文件和/或有价文件,
其中半导体分区包括电接触,所述电接触一方面与第一半导体层连接, 另一方面与第二半导体层连接,其中所述电接触分别与设置在安全文件和/或 有价文件的表面区域内的电接触场连接,或者
其中半导体分区设置在两个导电层之间,这两个导电层分别具有电接触, 其中所述电接触分别与设置在安全文件和/或有价文件的表面区域内的电接 触场连接,或者
其中半导体分区设置在两个设置于安全文件和/或有价文件的表面区域 内的电接触场之间。
7.根据权利要求1、2、5中的任何一项所述的安全文件和/或有价文件, 其中半导体分区具有从1到100000ns的冷光衰变时间。
8.根据权利要求7所述的安全文件和/或有价文件,其中所述冷光衰变时 间是从10到10000ns。
9.根据权利要求1、2、5中的任何一项所述的安全文件和/或有价文件, 其中第一半导体层由III/V族半导体或II/VI族半导体形成,并且第二半导体 层由III/V族半导体或II/VI族半导体形成。
10.一种用于印刷包含具有至少两个半导体层的微粒的安全文件和/或有 价文件的衬底的墨水,所述至少两个半导体层形成类型II半导体接触系统。
11.根据权利要求10所述的墨水,其中所述微粒具有从0.001到 100μm的最大空间扩展,所述最大空间扩展是指在微粒表面的两点之间 直线连接的长度,该长度对于微粒来说是最大值。
12.根据权利要求11所述的墨水,其中所述最大空间扩展是从0.01 到20μm。
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