[发明专利]受支撑的超导磁体有效
申请号: | 200780033176.5 | 申请日: | 2007-09-06 |
公开(公告)号: | CN101512687A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 马塞尔·克鲁伊普;尼古拉斯·曼 | 申请(专利权)人: | 西门子磁体技术有限公司 |
主分类号: | H01F6/04 | 分类号: | H01F6/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨 梧 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 超导 磁体 | ||
1.一种受支撑的超导磁体,包括:
一个超导磁体,其布置在一大体管状的致冷剂器皿内,所述致冷剂器皿本身布置在一个外部真空容器内;以及
单个大体管状的支撑元件,其抵靠一支撑表面而支承所述超导磁体和所述致冷剂器皿的重量,且位于所述致冷剂器皿与所述支撑表面之间,
所述大体管状的支撑元件围绕一大体垂直的轴线布置,且支撑一个围绕一大体水平的轴线布置的螺管式磁体结构,
所述大体管状的支撑元件将所述致冷剂器皿相对于所述外部真空容器保持在一固定的相对位置,其中复数个互补界面经布置以将所述致冷剂器皿和所述超导磁体的重量传递到所述大体管状的支撑元件,
其特征在于,一凹入部分提供于所述致冷剂器皿的壁中,且所述大体管状的支撑元件至少部分地容纳在所述凹入部分内。
2.根据权利要求1所述的受支撑的超导磁体,其中所述互补界面中的一者由所述凹入部分提供,且所述互补界面中的另一者包括所述大体管状的支撑元件的一端。
3.根据权利要求2所述的受支撑的超导磁体,其中所述致冷剂器皿具有一水平轴线,且所述大体管状的支撑元件具有比所述致冷剂器皿的径向直径小的径向直径。
4.一种受支撑的超导磁体,包括:
冷却式设备,其包括一个大体圆柱形的超导磁体,所述大体圆柱形的超导磁体具有一大体水平的轴线且布置在一外部真空容器内;以及
单个支撑元件,其抵靠一支撑表面而支承所述冷却式设备的重量,所述支撑元件位于所述冷却式设备与所述支撑表面之间,其中复数个互补界面经布置以将所述冷却式设备的所述重量传递到所述支撑元件,
所述支撑元件围绕一大体垂直的轴线布置,
所述支撑元件将所述冷却式设备相对于所述外部真空容器保持在一固定的相对位置,
其特征在于,所述支撑元件经成形和尺寸设计以通过所述互补界面而围护、支撑和保持所述冷却式设备,所述互补界面包括所述冷却式设备的外表面和所述支撑元件的上部内端面的部分。
5.根据权利要求4所述的受支撑的超导磁体,其中所述冷却式设备包括位于一大体管状的致冷剂器皿内的所述超导磁体。
6.根据权利要求5所述的受支撑的超导磁体,其中所述致冷剂器皿具有一大体水平的轴线;所述支撑元件具有比所述致冷剂器皿的径向直径大的径向直径。
7.根据权利要求4-6中任一权利要求所述的受支撑的超导磁体,其中所述支撑元件的横截面为非圆形,且是渐缩的。
8.根据权利要求1或4所述的受支撑的超导磁体,进一步包括一个辐射屏蔽件,所述辐射屏蔽件在提供致冷剂器皿的情况下位于所述外部真空容器与所述致冷剂器皿之间,在未提供致冷剂器皿的情况下位于所述外部真空容器与所述超导磁体之间,所述辐射屏蔽件支撑在一个屏蔽件支撑结构上,其中所述屏蔽件支撑结构包括所述支撑元件在所述辐射屏蔽件与所述支撑表面之间的部分,所述支撑元件通过复数个经布置以将所述辐射屏蔽件的重量传递到所述屏蔽件支撑结构的互补界面,将所述辐射屏蔽件相对于所述外部真空容器保持在一固定的相对位置。
9.根据权利要求8所述的受支撑的超导磁体,其中所述互补界面包括位于所述支撑元件上的一个凸缘。
10.根据权利要求9所述的受支撑的超导磁体,其中所述支撑元件包括一上部区段和一下部区段,所述上部区段和下部区段在所述凸缘处接合。
11.根据权利要求9-10中任一项所述的受支撑的超导磁体,其中所述凸缘连续地通过所述支撑元件的壁,从而在所述支撑元件的内侧上提供一安装凸缘,所述安装凸缘将辐射屏蔽件部分保持在所述支撑元件内的位置。
12.根据权利要求1或4所述的受支撑的超导磁体,其中所述支撑元件具有横过其下端的封闭部分,从而提供一用于安装所述外部真空容器的凸缘,所述封闭部分在所述外部真空容器的其余部分与其组装时成为所述外部真空容器壁的一部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子磁体技术有限公司,未经西门子磁体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780033176.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:便携式电子设备
- 下一篇:提高从全息存储介质再现的信号的质量的方法及其设备