[发明专利]具有减少耦合的高填充系数传感器

权利要求书

1.包括多个像素感应电路的光电传感器阵列，每个像素感应电路包含：

背板，包含有：

(i)衬底；

(ii)形成在所述衬底上并与多个所述像素感应电路共用的扫描线相连的栅极电极；以及

(iii)开关元件，包括第一终端和第二终端，所述开关元件通过电连接所述第一终端和第二终端来与栅极电极通信以响应来自所述扫描线的扫描信号，从而提供第一电信号在所述第一终端和第二终端间传递；

设置在所述背板上的绝缘层；

前板，包含从靠近所述背板的所述前板的第一侧顺序沉积的多层，所述多层形成：

(i)感应元件，包含所述多层的一个或多个并包括电荷收集电极，所述感应元件设置在所述开关元件的所述第一终端的上面，所述感应元件接收激励并提供指示出接收到的激励的大小的第二电信号；以及

(ii)数据电极，设置在所述开关元件的所述第二终端上方并且包含不同于包含所述感应元件的所述多层的一个或多个的所述多层的至少一个，所述多层的至少一个在包含所述感应元件的多层的全部淀积之后淀积，所述数据电极和多个像素感应电路共用的数据线相连接；

第一通孔，设置在穿过所述绝缘层并形成在所述背板的开关元件的第一终端和所述前板的感应元件的电荷收集电极之间的电连接；以及第二通孔，设置在穿过所述绝缘层并形成在所述背板中的开关元件的第二终端和在所述前板中的数据电极之间的电连接。

2.如权利要求1所述的阵列，其中所述开关元件是薄膜晶体管(TFT)，包括：

a)与所述扫描线电连接的栅极电极；

b)形成于所述栅极电极上方的绝缘体；

c)形成于所述绝缘体上方的非晶硅层；

d)形成于所述非晶硅层上面的两个或多个n+掺杂区；以及

e)与所述n+掺杂区接触的金属电极，形成所述第一和第二终端。

3.如权利要求1所述的阵列，其中所述感应元件是光电二极管，包括：

a)形成于所述电荷收集电极上方的n+层；

b)形成于所述n+层上方的非晶硅层；

c)形成于所述非晶硅层上方的p+层；以及

d)形成于所述p+层上方的导电层。

4.如权利要求1所述的阵列，其中所述感应元件是光电二极管，包括：

a)偏置电极；

b)形成于所述偏置电极上方的p+层；

c)形成于所述p+层上方的非晶硅层；

d)形成于所述非晶硅层上方的n+层；并且

e)其中所述电荷收集电极形成于所述n+层的上方。

5.如权利要求1所述的阵列，其中所述感应元件是金属绝缘体半导体(MIS)光电传感器，包括：

a)形成于所述电荷收集电极上方的电介质；

b)形成于所述电介质上方的非晶硅层；以及

c)形成于所述非晶硅层上方的n+层，并且其中所述像素感应电路还包括：

偏置电极。

6.如权利要求1所述的阵列，其中所述感应元件是金属绝缘体半导体(MIS)光电传感器，包括：

a)偏置电极；

b)形成于所述偏置电极上方的栅极电介质；

c)形成于所述栅极电介质上方的非晶硅层；

d)形成于所述非晶硅层上方的n+层；以及

e)所述电荷收集电极。

7.如权利要求1所述的阵列，其中所述绝缘层是由苯并环丁烯构成。

8.如权利要求1所述的阵列，其中所述绝缘层是由聚酰亚胺构成。

9.如权利要求1所述的阵列，其中所述绝缘层是由溶胶-凝胶构成。

10.如权利要求1所述的阵列，其中所述数据线是由至少0.5微米厚度的铝构成。