[发明专利]镁合金构件及其制造方法无效
申请号: | 200780033349.3 | 申请日: | 2007-07-10 |
公开(公告)号: | CN101512028A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 奥田伸之;真岛正利;酒井将一郎;稻沢信二;森信之;井上龙一;大石幸广;河部望;沼野正祯 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C22C23/02 | 分类号: | C22C23/02;C22F1/06;C23C22/07;C25D11/30 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈海涛;樊卫民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镁合金 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种镁合金构件,其包括:
由镁合金制成的基材;以及
在所述基材上形成的防腐膜,
其中所述基材为含5~11质量%Al的轧制镁合金。
2.如权利要求1所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件具有剪切加工部分。
3.如权利要求2所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件包括塑性加工部分。
4.如权利要求3所述的镁合金构件,其中所述塑性加工部分通过压制加工而成型。
5.如权利要求3所述的镁合金构件,其中所述塑性加工部分通过深拉加工、锻造加工、吹制加工和弯曲加工中的至少一种而成型。
6.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述基材满足下列要求:
(1)平均晶粒尺寸为30μm以下;
(2)金属间化合物的尺寸为20μm以下;以及
(3)表面缺陷的深度为所述基材厚度的10%以下。
7.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为化学转化处理膜。
8.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为阳极氧化膜。
9.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜中Cr的含量为0.1质量%以下。
10.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜中Mn的含量为0.1质量%以下。
11.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为磷酸盐膜。
12.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中经24小时盐雾试验(JIS Z 2371)后所述防腐膜的腐蚀面积占整个面积的比例为1%以下,以及
通过双探针法测定的所述防腐膜的电阻为0.2Ω·cm以下。
13.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜上形成涂膜。
14.如权利要求13所述的镁合金构件,其中所述涂膜包括底涂层和顶涂层,
所述涂膜不包括用于补偿所述底涂层表面缺陷的腻子。
15.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其还包括作为最上层的抗菌膜,
其中所述抗菌膜包括抗菌性金属微粒。
16.如权利要求15所述的镁合金构件,其中所述抗菌膜为在所述防腐膜上形成的涂膜。
17.如权利要求15所述的镁合金构件,其中所述抗菌性金属微粒由镍、铜、银、金、铂、钯或含这些金属中的两种以上的合金形成。
18.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件的拉伸强度为280MPa以上,0.2%容许应力为200MPa以上,伸长率为10%以上。
19.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其用作电子设备的壳体。
20.一种制造镁合金构件的方法,所述方法包括:
准备由含5~11质量%Al的轧制镁合金形成的材料构件;以及
对所述材料构件进行防腐处理。
21.如权利要求20所述的镁合金构件,还包括:在进行所述防腐处理以前,对所述材料构件进行剪切加工的步骤。
22.如权利要求21所述的镁合金构件,还包括:在进行所述剪切加工的步骤以后并在进行所述防腐处理的步骤以前,对所述经剪切的材料构件进行塑性加工的步骤。
23.如权利要求20所述的制造镁合金构件的方法,还包括对所述经防腐处理的材料构件进行剪切加工的步骤。
24.如权利要求23所述的制造镁合金构件的方法,还包括对所述经剪切的材料构件进行塑性加工的步骤。
25.如权利要求20~22中任一项所述的制造镁合金构件的方法,还包括:对所述经防腐处理的材料构件进行涂料施用处理的步骤。
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