[发明专利]镁合金构件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200780033349.3 申请日: 2007-07-10
公开(公告)号: CN101512028A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 奥田伸之;真岛正利;酒井将一郎;稻沢信二;森信之;井上龙一;大石幸广;河部望;沼野正祯 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C22C23/02 分类号: C22C23/02;C22F1/06;C23C22/07;C25D11/30
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈海涛;樊卫民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 镁合金 构件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种镁合金构件,其包括:

由镁合金制成的基材;以及

在所述基材上形成的防腐膜,

其中所述基材为含5~11质量%Al的轧制镁合金。

2.如权利要求1所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件具有剪切加工部分。

3.如权利要求2所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件包括塑性加工部分。

4.如权利要求3所述的镁合金构件,其中所述塑性加工部分通过压制加工而成型。

5.如权利要求3所述的镁合金构件,其中所述塑性加工部分通过深拉加工、锻造加工、吹制加工和弯曲加工中的至少一种而成型。

6.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述基材满足下列要求:

(1)平均晶粒尺寸为30μm以下;

(2)金属间化合物的尺寸为20μm以下;以及

(3)表面缺陷的深度为所述基材厚度的10%以下。

7.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为化学转化处理膜。

8.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为阳极氧化膜。

9.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜中Cr的含量为0.1质量%以下。

10.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜中Mn的含量为0.1质量%以下。

11.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述防腐膜为磷酸盐膜。

12.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中经24小时盐雾试验(JIS Z 2371)后所述防腐膜的腐蚀面积占整个面积的比例为1%以下,以及

通过双探针法测定的所述防腐膜的电阻为0.2Ω·cm以下。

13.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中在所述防腐膜上形成涂膜。

14.如权利要求13所述的镁合金构件,其中所述涂膜包括底涂层和顶涂层,

所述涂膜不包括用于补偿所述底涂层表面缺陷的腻子。

15.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其还包括作为最上层的抗菌膜,

其中所述抗菌膜包括抗菌性金属微粒。

16.如权利要求15所述的镁合金构件,其中所述抗菌膜为在所述防腐膜上形成的涂膜。

17.如权利要求15所述的镁合金构件,其中所述抗菌性金属微粒由镍、铜、银、金、铂、钯或含这些金属中的两种以上的合金形成。

18.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其中所述镁合金构件的拉伸强度为280MPa以上,0.2%容许应力为200MPa以上,伸长率为10%以上。

19.如权利要求1~3中任一项所述的镁合金构件,其用作电子设备的壳体。

20.一种制造镁合金构件的方法,所述方法包括:

准备由含5~11质量%Al的轧制镁合金形成的材料构件;以及

对所述材料构件进行防腐处理。

21.如权利要求20所述的镁合金构件,还包括:在进行所述防腐处理以前,对所述材料构件进行剪切加工的步骤。

22.如权利要求21所述的镁合金构件,还包括:在进行所述剪切加工的步骤以后并在进行所述防腐处理的步骤以前,对所述经剪切的材料构件进行塑性加工的步骤。

23.如权利要求20所述的制造镁合金构件的方法,还包括对所述经防腐处理的材料构件进行剪切加工的步骤。

24.如权利要求23所述的制造镁合金构件的方法,还包括对所述经剪切的材料构件进行塑性加工的步骤。

25.如权利要求20~22中任一项所述的制造镁合金构件的方法,还包括:对所述经防腐处理的材料构件进行涂料施用处理的步骤。

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