[发明专利]用于控制电容性湿度传感器的灵敏度和值的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200780033379.4 申请日: 2007-09-06
公开(公告)号: CN101512331A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: Y·M·阿利米;R·A·达维斯 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22;H01G4/255
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 柯广华;王忠忠
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 控制 电容 湿度 传感器 灵敏度 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于形成电容性湿度传感器的方法,包括:

提供衬底;

在所述衬底上沉积二氧化硅层;

在所述二氧化硅层上沉积氮化层;以及

在所述氮化层上形成TiW层;

在所述TiW层上形成湿度感测介质;以及

在所述湿度感测介质上形成多孔铂层;

其中,所述TiW层、所述湿度感测介质和所述多孔铂层形成位 于所述氮化层上的第一与第二串联活性湿度电容器,并且其中,提供 所述衬底包括提供在所述衬底上形成的多个寄生元件,被配置为控制 与所述湿度传感器相关联的灵敏度和总电容值。

2.如权利要求1所述的方法,其中,所述衬底包括硅衬底。

3.权利要求1的方法,其中,所述衬底设置多个电阻器。

4.权利要求1的方法,其中,在所述衬底上形成多个寄生元件 不增加所述湿度传感器的大小。

5.权利要求1的方法,其中,提供多个寄生元件包括在所述衬 底上提供多个电容器。

6.一种湿度传感器装置,包括:

衬底;

二氧化硅层;

氮化层;

在所述衬底上形成的多个寄生元件;以及

第一与第二串联活性湿度电容器,其中,所述第一与第二串联活 性湿度电容器均包括:

在所述氮化层上形成的TiW层;

多孔铂层;以及

位于所述TiW层和所述多孔铂层之间的湿度感测介质;以及

其中,所述多个寄生元件控制与所述湿度传感器相关联的灵 敏度和总电容值。

7.权利要求6的装置,其中

所述二氧化硅层形成在所述衬底上;

所述衬底包括硅衬底;

所述氮化层位于所述二氧化硅层之上;以及

所述多个寄生元件形成在所述硅衬底和所述TiW层之间。

8.权利要求6的装置,其中,在所述衬底设置多个电阻器。

9.权利要求6的装置,其中,在所述衬底上形成的所述多个寄 生元件包括多个电容器。

10.权利要求6的装置,其中,在所述衬底上形成的所述多个寄 生元件不增加所述湿度传感器的大小。

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