[发明专利]含有鎓的化学机械抛光组合物及使用该组合物的方法

权利要求书

1.一种化学-机械抛光(CMP)组合物，包含：

(a)胶态二氧化硅，该胶态二氧化硅以在0.05重量％至35重量％范围内 的量存在于该组合物中；

(b)选自鏻盐、锍盐、及其组合的至少一种鎓化合物，所述至少一种鎓化 合物以在0.04至200微摩尔每克组合物的范围内的浓度存在于该组合物中；

(c)为此的含水载体；

该组合物具有5或更小的pH值。

2.权利要求1的CMP组合物，其中至少一种鎓盐以在0.04至200微摩 尔每克组合物的范围内的量存在于该组合物中。

3.权利要求1的CMP组合物，其中所述至少一种鎓化合物包括具有下 式的鏻盐：

其中R¹、R²、R³及R⁴各自独立地为选自如下的取代或未取代的烃基： 直链C₁-C₁₆烷基、支链C₃-C₁₆烷基、C₆-C₁₀芳基、经直链C₁-C₁₆烷基取代的 C₆-C₁₀芳基、以及经支链C₃-C₁₆烷基取代的C₆-C₁₀芳基，其中该烃基可任选 地被一个或多个选自羟基取代基、卤取代基、醚取代基、酯取代基、羧基取 代基、以及氨基取代基的官能取代基取代；任选地，R¹与R²可一起形成具 有磷P的饱和杂环、不饱和杂环或芳族杂环，条件为当该杂环为芳族杂环时， R⁴不存在；且X-为无机酸或有机酸的共轭碱。

4.权利要求1的CMP组合物，其中所述至少一种鎓化合物包括具有下 式的锍盐：

其中R⁵、R⁶及R⁷各自独立地为选自如下的取代或未取代的烃基：直链 C₁-C₁₆烷基、支链C₃-C₁₆烷基、C₆-C₁₀芳基、经直链C₁-C₁₆烷基取代的C₆-C₁₀ 芳基、以及经支链C₃-C₁₆烷基取代的C₆-C₁₀芳基，其中该烃基可任选地被一 个或多个选自羟基取代基、卤取代基、醚取代基、酯取代基、羧基取代基、 以及氨基取代基的官能取代基取代；任选地，R⁵与R⁶可一起形成具有硫S 的饱和杂环、不饱和杂环或芳族杂环，条件为当该杂环为芳族杂环时，R⁷不存在；且X-为无机酸或有机酸的共轭碱。

5.权利要求1的CMP组合物，其中该pH值在2至5的范围内。

6.一种化学-机械抛光(CMP)组合物，包含：

(a)0.1重量％至10重量％的胶态二氧化硅；

(b)0.4至20微摩尔每克的至少一种鏻盐；

(c)为此的含水载体；

该组合物具有5或更小的pH值。

7.权利要求6的CMP组合物，其中该胶态二氧化硅以在1重量％至6 重量％范围内的量存在于该组合物中。

8.权利要求6的CMP组合物，其中至少一种鏻盐以在1至10微摩尔 每克组合物的范围内的量存在于该组合物中。