[发明专利]原位晶片温度测量和控制

权利要求书

1.一种处理室，包括：

静电卡盘，包括至少一个光线管，该静电卡盘能够接收 在背面至少一个点上具有感光以及温敏材料的基片；

光源，耦接到该至少一个光线管，该光源配置为提供光 线至该至少一个光线管以便当该基片在该静电卡盘上时提供 光线至在该基片背面的该至少一个点上的该感光以及温敏材 料；

检测器，耦接至该至少一个光线管，该检测器配置为收 集由提供到该感光以及温敏材料上的光线导致的从该感光以 及温敏材料发出的荧光以确定在该基片背面至少一个点上的 基片温度，其中该基片温度通过测量所发出的荧光在关掉光源 后的衰减来测量；以及

室控制器，利用所确定的基片温度来调节该静电卡盘温 度控制参数，从而为在该静电卡盘上处理的多个基片保持所需 的基片温度范围。

2.根据权利要求1所述的处理室，进一步包括：

分析器，配置为处理所接收到的从该基片背面至少一个 点上的感光以及温敏材料发出的荧光以确定在该基片背面至 少一个点上的基片温度。

3.根据权利要求1所述的处理室，其中该室控制器配置为根据所 确定的基片温度辨别在该基片背面多个点的任意一个是否发 生临界温度变化。

4.根据权利要求3所述的处理室，其中当检测到在该基片背面至 少一个点之一上的温度度数超出所需基片温度范围时发生该 临界温度变化。

5.根据权利要求1所述的处理室，其中使用一个或多个加热/冷 却元件设定该温度控制参数。

6.根据权利要求5所述的处理室，其中该加热/冷却元件之一由 背面氦气(He)压力设定。

7.根据权利要求1所述的处理室，其中在该基片背面有多个具有 该感光以及温敏材料的点，以及在该静电卡盘中与该多个点相 关的独立控制的区内调节温度控制参数，从而单独控制该独立 控制区中的温度。

8.根据权利要求1所述的处理室，其中在背面至少一个点上具有 感光以及温敏材料的基片设置在工作台或负载锁中，该工作台 或负载锁耦接到基片传送室。

9.根据权利要求1所述的处理室，其中该光源通过嵌在该光线管 中的光纤提供光线。

10.一种组合设备工具系统，包括：

基片夹持工作台，用于夹持基片，其中该基片在其背面 具有感光以及温敏材料，以响应施加到该感光以及温敏材料的 光线发出荧光从而确定基片温度；

处理室，该处理室配置为从该基片夹持工作台接收该基 片以及当该基片在该处理室中时进行主动工艺操作，其中该处 理室具有包括至少一个光线管的静电卡盘，该至少一个光线管 构造为通过光线；以及

检测器，连接到该至少一个光线管用于在该处理室进行 该主动工艺操作时检测由该基片背面上的感光以及温敏材料 发出的荧光，其中该基片温度通过测量所发出荧光在光源关闭 后的衰减来测量。

11.根据权利要求10所述的组合设备工具系统，进一步包括：

分析器，配置为从发出的荧光确定该基片温度；以及

室控制器，配置为确定该基片温度是否超出控制范围以 及调节该处理室的温度控制参数以使该基片温度在用于多个 在该处理室处理的基片的控制范围内。

12.根据权利要求10所述的组合设备工具系统，其中该检测器整 合在该处理室中。

13.根据权利要求10所述的组合设备工具系统，其中发出的荧光 被用于测量基片温度的装置捕获以及传输到存储装置用于之 后读取，该测量基片温度的装置以及该存储装置嵌在该基片 中。

14.根据权利要求10所述的组合设备工具系统，其中该基片进一 步嵌入电池以对该测量基片温度的装置以及该存储装置充电。

15.根据权利要求14所述的组合设备工具系统，其中该基片夹持 工作台包括电池充电工作台以便对嵌在该基片中的电池充电。