[发明专利]用于半导体集成电路装置的抛光剂、抛光方法以及半导体集成电路装置的制造方法

权利要求书

1.一种抛光剂，其为在半导体集成电路装置的制造中用于对待抛光面进行抛光的化学机械抛光用抛光剂，所述抛光剂包含：

二氧化铈粒子，

水溶性多胺，

选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及

水，

其中所述抛光剂的pH值为10～13，且

其中相对于所述抛光剂的总质量，所述碱性化合物的含量大于0.01质量％。

2.如权利要求1所述的抛光剂，其中所述水溶性多胺是重均分子量为100～2,000的水溶性聚醚多胺。

3.如权利要求1或2所述的抛光剂，其中相对于所述抛光剂的总质量，所述水溶性多胺的含量为0.001～20质量％。

4.如权利要求1～3中任一项所述的抛光剂，其中相对于所述抛光剂的总质量，所述碱性化合物的含量为0.01～2.0质量％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的抛光剂，其中相对于所述抛光剂的总质量，所述二氧化铈粒子的含量为0.1～5.0质量％。

6.一种待抛光面的抛光方法，其包括将抛光剂供给抛光垫、使半导体集成电路装置的待抛光面与所述抛光垫接触、以及通过两者之间的相对运动进行抛光，

其中所述待抛光面包含硼磷硅酸盐玻璃材料层的待抛光面，且

其中将权利要求1～5中任一项所述的抛光剂用作所述抛光剂。

7.如权利要求6所述的抛光方法，其中所述半导体集成电路装置在所述硼磷硅酸盐玻璃材料层的下方并与所述硼磷硅酸盐玻璃材料层相邻地具有二氧化硅膜或氮化硅膜。

8.如权利要求6或7所述的抛光方法，其中所述半导体集成电路装置在所述硼磷硅酸盐玻璃材料层的下方并与所述硼磷硅酸盐玻璃材料层相邻地具有二氧化硅膜、并在所述二氧化硅膜的下方并与所述二氧化硅膜相邻地具有氮化硅膜，或者在所述硼磷硅酸盐玻璃材料层的下方并与所述硼磷硅酸盐玻璃材料层相邻地具有氮化硅膜、并在所述氮化硅膜的下方并与所述氮化硅膜相邻地具有二氧化硅膜。

9.一种制造半导体集成电路装置的方法，其包括通过权利要求6～8中任一项所述的抛光方法对待抛光面进行抛光的步骤。