[发明专利]干式蚀刻方法无效
| 申请号： | 200780033651.9 | 申请日： | 2007-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101512736A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 森川泰宏;邹红罡 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈 昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.干式蚀刻方法，是将基板载置在设置于真空室内的电极上，对该基板进行干式蚀刻的方法，其特征在于，使用在所述电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极而进行蚀刻。
2.权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述电极压紧构件由含钇氧化物构成或该构件的全部表面由含钇氧化物膜覆盖。
3.权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述电极压紧构件由石英、Al2O3或AlN构成，而且该构件的全部表面由含钇氧化物膜覆盖。
4.权利要求1～3任一项所述的干式蚀刻方法，其特征在于，对所述电极压紧构件采用喷镀法、CVD法或者溅射法，在电极压紧构件的全部表面使含钇氧化物成膜。
5.权利要求1所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述电极压紧构件由含钇氧化物的烧结体构成。
6.权利要求1～5任一项所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含钇氧化物是钇氧化物，其纯度是99.5～99.9％。
7.权利要求1～6任一项所述的干式蚀刻方法，其特征在于，所述含钇氧化物是透明Y2O3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
