[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

实施方案涉及发光二极管及其制造方法。 

背景技术

通过在衬底上形成化合物半导体之后分离多个单元芯片的划片工艺来制造发光二极管(LED)。 

划片工艺将是将激光辐照到衬底或化合物半导体上。在激光辐照期间，与利用激光辐照的划片区域相邻接的衬底或化合物半导体可受到损伤。 

由LED的有源层产生的一部分光通过所述划片区域发射至外部。然而，光难以通过衬底或化合物半导体的被激光损伤的部分，这最终降低了LED的光效率。 

发明内容

技术问题 

实施方案提供发光二极管(LED)及其制造方法。 

实施方案提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。 

技术方案 

一个实施方案提供一种制造发光二极管(LED)的方法，包括：形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到掩模层的划片区域上以将所述半导体层分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分离所述多个发光二极管。 

一个实施方案提供一种制造发光二极管的方法，包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成掩模层；使激光辐照到衬底的划片区域上以将衬底分为多个发光二极管；蚀刻所述划片区域；移除掩模层；和分 离所述多个发光二极管。 

一个实施方案提供一种发光二极管，包括：衬底；在所述衬底上的半导体层；在所述半导体层上的电极，其中所述衬底或半导体层具有至少一个具有预定倾角的蚀刻后的侧表面。 

在附图和以下的描述中阐述了一个或更多个实施方案的细节。其它特征会通过说明和附图以及通过权利要求而变得显而易见。 

有益效果 

实施方案可提供发光二极管(LED)及其制造方法。 

实施方案可提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。 

附图说明

图1～6是说明根据第一实施方案的发光二极管(LED)及其制造方法的截面图。 

图7～11是说明根据第二实施方案的LED及其制造方法的截面图。 

实施方式 

现在将详述发光二极管(LED)及其制造方法，在附图中对其示例进行说明。 

图1～6是说明根据第一实施方案的LED及其制造方法的截面图。 

参考图1，在衬底10上形成半导体层20、第一电极31和第二电极41，以形成LED。 

衬底10可包括例如蓝宝石衬底。半导体层20具有化合物半导体的多堆叠结构，下面将在图6中对其进行更完全的描述。 

可选择性地蚀刻半导体层20的一部分，并且在半导体层20的蚀刻后的部分上形成第一电极31。因此，即使在相同的半导体层20上形成第一和第二电极31和41，它们也具有彼此不同的高度。 

为描述方便起见，图1～6的实施方案说明截面图，该截面图说明形成第一、第二和第三LED 51、52和53的工艺。 

参考图2，在半导体层20、第一电极31和第二电极41上形成掩模层60。 

在划片工艺期间，掩模层60保护半导体层20并且由可被湿蚀刻或干蚀刻的材料形成。下文将详细描述用于掩模层60的材料。 

在图2中，附图标记61表示划片区域。在该实施方案中，使用激光辐照设备将激光辐照到划片区域61上，因此将半导体层20分为第一、第二和第三LED 51、52和53。 

参考图3，当辐照激光到划片区域61上时，划片区域61中的掩模层60、半导体层20和衬底10被移除。 

在激光辐照期间，被激光辐照的划片区域61中的层受到损伤，导致形成具有不平表面的损伤区域12，如图3所示。 

由LED的有源层发射的光没有通过而是在损伤区域12被吸收，因此在本实施方案中，移除损伤区域12以改善LED的光效率。 

损伤区域12的移除可使用湿蚀刻或干蚀刻工艺来实施。