[发明专利]半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法有效
| 申请号： | 200780034048.2 | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101517709A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 金喜则;吉田伊织 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 抛光 方法 以及 制造 | ||
1.一种抛光剂，其为在半导体集成电路装置的制造中用于对待抛光面进行抛光的化学机械抛光用抛光剂，所述抛光剂包含：
二氧化铈粒子、
水溶性聚醚胺、
选自聚丙烯酸和其盐的至少一种物质、以及
水，
其中所述抛光剂的pH值为6～9，以及
其中所述物质的聚丙烯酸部分的重均分子量为1,000～1,000,000，并且相对于所述抛光剂的总质量，所述物质的含量范围为大于0.02质量％且在0.5质量％以下，且
其中相对于所述抛光剂的总质量，所述二氧化铈粒子的含量范围为0.1～5质量％。
2.根据权利要求1所述的抛光剂，其中所述水溶性聚醚胺的重均分子量为100～2,000，并且相对于所述抛光剂的总质量，所述水溶性聚醚胺的含量范围为0.001～20质量％。
3.一种待抛光面的抛光方法，其包括将抛光剂供给抛光垫、使半导体集成电路装置的待抛光面与所述抛光垫接触、以及通过两者之间的相对运动进行抛光，
其中所述待抛光面为二氧化硅类材料层的待抛光面，以及
其中所述抛光剂为根据权利要求1所述的抛光剂。
4.根据权利要求3所述的抛光方法，其中所述二氧化硅类材料层为硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层、硼硅酸盐玻璃(BSG)层或磷硅酸盐玻璃(PSG)层。
5.根据权利要求4所述的抛光方法，其中所述二氧化硅类材料中磷的浓度或者硼的浓度或者磷和硼各自的浓度在0.1～20质量％的范围。
6.根据权利要求3所述的抛光方法，其中所述二氧化硅类材料层为二氧化硅层。
7.一种制造半导体集成电路装置的方法，其包括通过权利要求6中所述的抛光方法对待抛光面进行抛光的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
