[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法有效
申请号: | 200780034102.3 | 申请日: | 2007-08-13 |
公开(公告)号: | CN101518152A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 赵显南;柳志勋;郑光春 | 申请(专利权)人: | 印可得株式会社 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;谭 辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,所述器件包括:
阳极;
该阳极上部形成的空穴注入层;
该阳极上部设置的与该阳极相对的阴极;
该阴极下部形成的空穴阻挡层;和
该空穴注入层和该空穴阻挡层之间形成的多个发光层以及插入在相邻的该发光层之间的一个以上的无机氧化物夹层,
其中,该无机氧化物夹层只与发光层接触。
2.如权利要求1所述的器件,其中在所述发光层之间形成至少两个无机氧化物夹层。
3.如权利要求1所述的器件,其中所述无机氧化物夹层的厚度为0.1nm~500nm。
4.如权利要求1所述的器件,其中所述无机氧化物包括Zr、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Hg、Al、Ga、In、Tl、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Si、As、Se、Eu、Sm、Th、Ac、Ce或Pr的氧化物,或者选自由这些元素中的至少两种元素构成的复合氧化物中的至少一种。
5.如权利要求4所述的器件,其中所述无机氧化物包括选自ZrO2、Li2O、Na2O、RbO2、BeO、CaO、SrO、BaO、SiO2、TiO、Ti2O3、TiO2、V2O3、V2O4、V2O5、Mn3O4、MnO、Mn2O3、MnO2、FeO、Fe3O4、ZnO、ZnO2、MgO、SnO2、ln2O3、CrO3、CuO、Cu2O、HfO2、Fe2O3、CoO、Co3O4、NiO、NiO2、CeO2、Y2O3、NbO、NbO2、Nb2O5、MoO2、MoO3、RuO2、Rh2O3、RhO2、PdO、AgO、Ag2O、CdO、Ta2O5、WO3、WO2、ReO3、OsO4、IrO2、PtO2、Au2O3、HgO、Ga2O3、GeO2、SnO、PbO2、PbO、PbO4、Sb2O3、Sb2O4、Sb2O5、Bi2O3、As2O3、As2O5、SeO2和Eu2O3中的至少一种。
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