[发明专利]半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200780034235.0 申请日: 2007-08-07
公开(公告)号: CN101517720A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 山崎修;市川功;佐伯尚哉 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 冯 雅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及制造半导体器件的方法。更具体地,本发明涉及对层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加热,使上述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的方法。

背景技术

目前,半导体器件经过芯片和布线基板通过液状或膜状的热固性接合剂被芯片键合的芯片键合工序以及其后的引线键合工序、模塑工序而制成(图4,V~VII)。介以未固化的接合剂层3层叠芯片2和布线基板4时,可能会在接合剂中存在空洞5,或者在接合剂的芯片侧或布线基板侧的界面存在空洞6(图4)。这些空洞在芯片键合工序后也不消失而残留(图4)。尤其,在采用液状的接合剂时经常在接合剂中出现空洞,而在采用膜状的接合剂时,由于粘接力不足和对被粘接面的凹凸的顺应性不足,经常在上述界面存在空洞。

然而,这样的空洞在半导体器件的可靠性评价中成为封装裂缝的起点,因此必须消除空洞。

针对这一点,对于液状接合剂通过涂布时的低粘度,对于膜状的接合剂通过芯片键合时的弹性模量的降低,或者通过芯片键合条件的优化,尝试使接合剂层顺应布线基板的凹凸(专利文献1)。

专利文献1:国际公开第2005/004216号文本

发明的揭示

采用液状或膜状的接合剂时,通过上述的方法使空洞减少,但如果降低粘度或弹性模量,则产生芯片键合时接合剂露出芯片端面的问题。特别是对于近年来的薄型化的芯片,存在该露出的接合剂上溢至芯片电路面,污染引线焊盘,使引线接合强度下降的问题。

此外,特别是采用膜状的接合剂时,存在于上述界面的空洞的产生也受到基板设计的影响。因此,一旦基板设计改变,就必须进行基于配方改变的粘度控制或弹性模量的降低或者芯片键合条件的重新设定、优化,其处理也困难。特别是对于近年来的高密度的布线基板,凹凸的高度差大,为了要填补该高度差,芯片键合的实施是相当困难的。

因此,本发明的目的在于提供可以在不受基板设计的影响的情况下简便地制造没有空洞的半导体器件的方法,还在于提供可以制造这时不会出现接合剂的上溢的半导体器件的方法。

本发明人认真研究后,发现可以通过特定的静压加压工序解决上述课题,从而完成了本发明。

即,本发明的半导体器件的制造方法是对层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板(介以未固化的接合剂层层叠有芯片的布线基板)进行加热,使上述未固化的接合剂层固化来制造半导体器件的方法,其特征在于,包括如下的静压加压工序:在上述固化前(上述固化完成前),通过比常压高0.05MPa以上的静压对上述层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加压。

此外,较好是还包括如下的热固化工序:在由上述静压加压工序产生的加压状态下,对上述层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板进行加热,将上述未固化的接合剂层固化。

如果采用本发明的半导体器件的制造方法,则通过未固化的接合剂层层叠芯片和布线基板时,可以在通常的条件下进行,通过其后的静压加压工序,能够在不受基板设计的影响的情况下简便地消除空洞。此外,由于该静压加压工序中通过静压进行加压,因此也不会发生接合剂的上溢。

附图的简单说明

图1是用于说明本发明的半导体器件的制造方法的图。

图2示出本发明中所用的层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板的例子。

图3示出本发明中所用的层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板的例子。

图4是用于说明现有的半导体器件的制造方法的图。

符号的说明

1:层叠有芯片和未固化的接合剂层的布线基板,2:芯片,3:未固化的接合剂层,4:布线基板,5:存在于接合剂层中的空洞,6:存在于布线基板和接合剂层的界面的空洞,8:固化了的接合剂层,9:引线,10:半导体器件,11:密封树脂,I:静压加压工序,II:热固化工序,III:引线键合工序,IV:模塑工序,21:密封前的多芯片叠层型半导体器件,22:构成相对的上部(第2层)的芯片,23:未固化的接合剂层,25:构成相对的下部(第1层)的芯片(布线基板),26:接合剂层,27:芯片搭载用布线基板,31:层叠(倒装片键合)有芯片和未固化的接合剂层(底部填充材料)的布线基板,32:芯片,33:未固化的接合剂层,34:布线基板,35:凸点,41:具有充分固化了的接合剂层的布线基板,42:固化了的接合剂层,43:引线,44:半导体器件,45:密封树脂,V:芯片键合工序,VI:引线键合工序,VII:模塑工序。

实施发明的最佳方式

以下,对本发明进行具体说明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780034235.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top