[发明专利]切断方法有效
| 申请号： | 200780034327.9 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101517711A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 大石弘;仲俣大辅 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B27/06;B28D5/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云;郑特强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切断 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种切断方法，该切断方法是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成晶片状的方法，其特征在于：
控制上述切断用浆液的供给温度，以至少使上述切断用浆液的供给温度，在上述晶棒的切断开始时高于该晶棒的温度，之后，使上述切断用浆液的供给温度从上述晶棒的切入深度至少达到直径的2/3时开始上升，在上述晶棒的切断结束时使上述切断用浆液的供给温度与晶棒的温度成为30℃以上的方式来进行切断。
2.一种切断方法，该切断方法是将钢线卷绕于多个附凹沟滚筒，一边供给切断用浆液至该附凹沟滚筒，一边使上述钢线行进地压抵晶棒，将该晶棒切断成晶片状的方法，其特征在于：
控制上述切断用浆液的供给温度，以至少使上述切断用浆液的供给温度，在上述晶棒的切断开始时在该晶棒的温度以下，之后，使上述切断用浆液的供给温度从上述晶棒的切入深度至少达到直径的2/3时开始上升，在上述晶棒的切断结束时使上述切断用浆液的供给温度与晶棒的温度成为30℃以上的方式来进行切断。
3.如权利要求1或2所述的切断方法，其中上述晶棒的切断过程中的最高温度与切断结束时的温度的温度差在5℃以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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