[发明专利]用有机聚硅氧烷处理的填料、颜料和矿物粉末有效

专利信息
申请号: 200780034464.2 申请日: 2007-09-17
公开(公告)号: CN101517009A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: P·舍瓦利耶 申请(专利权)人: 陶氏康宁公司
主分类号: C09C1/00 分类号: C09C1/00;C09C1/02;C09C1/36;C09C1/42;C09C1/40;C08G77/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 宁家成
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 聚硅氧烷 处理 填料 颜料 矿物 粉末
【权利要求书】:

1.用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉末,其特征在于, 所述硅化合物是具有至少一个式-SiR”(OR’)2或-Si(OR’)3的末端基团的 聚二有机硅氧烷,其中R”表示烷基、取代的烷基、烯基或芳基,每个R’ 表示具有1-4个碳原子的烷基。

2.权利要求1的用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉末, 其特征在于,所述聚二有机硅氧烷具有至少一个式-SiR(OR’)2的末端基 团,其中R表示烷基、烯基或芳基,每个R’表示具有1-4个碳原子的烷 基。

3.权利要求2的用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉末, 其特征在于,R表示具有3-8个碳原子的烷基。

4.权利要求1-3中任一项的用硅化合物表面处理过的填料、颜料 或矿物粉末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷的聚合度为4-250个硅 氧烷单元。

5.权利要求1-3中任一项的用硅化合物表面处理过的填料、颜料 或矿物粉末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷在25℃时具有低于 2000Pa的蒸气压。

6.权利要求1-3中任一项的用硅化合物表面处理过的填料、颜料 或矿物粉末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷衍生自羟基封端的聚二 有机硅氧烷与式R”Si(OR’)3的烷氧基硅烷或与式Si(OR’)4的四烷氧基硅 烷在用于硅烷醇基团与Si-烷氧基基团缩合的催化剂存在下的反应。

7.权利要求1-3中任一项的用硅化合物表面处理过的填料、颜料 或矿物粉末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷是线性的聚二有机硅氧 烷。

8.权利要求1-3中任一项的用硅化合物表面处理过的填料、颜料 或矿物粉末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷是支化的聚二有机硅氧 烷。

9.权利要求8的用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉末, 其特征在于,所述聚二有机硅氧烷含有支化位点,所述支化位点衍生自 一分子的式R”Si(OR’)3的烷氧基硅烷或式Si(OR’)4的四烷氧基硅烷与羟 基封端的聚二有机硅氧烷的至少3个硅烷醇基团的反应。

10.权利要求8的用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉 末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷含有支化位点,所述支化位点衍 生自羟基封端的聚二有机硅氧烷与式R”Si(OR’)3的烷氧基硅烷和/或式 Si(OR’)4的四烷氧基硅烷在支化的有机硅树脂和用于硅烷醇基团与Si- 烷氧基基团缩合的催化剂存在下的反应。

11.权利要求8的用硅化合物表面处理过的填料、颜料或矿物粉 末,其特征在于,所述聚二有机硅氧烷含有支化位点,所述支化位点衍 生自支化的羟基封端的聚二有机硅氧烷与式R”Si(OR’)3的烷氧基硅烷 和/或式Si(OR’)4的四烷氧基硅烷的反应。

12.用硅化合物对填料、颜料或矿物粉末进行表面处理的方法,其 特征在于,所述硅化合物是具有至少一个式-SiR”(OR’)2或-Si(OR’)3的 末端基团的聚二有机硅氧烷,其中R”表示烷基、取代的烷基、烯基或芳 基,每个R’表示具有1-4个碳原子的烷基。

13.权利要求12的方法,其特征在于,所述填料、颜料或矿物粉 末被用所述聚二有机硅氧烷和氨基硅烷或氨基硅氧烷的混合物处理。

14.权利要求12或13的方法,其特征在于,所述填料、颜料或矿 物粉末被用所述聚二有机硅氧烷和含有Si-OH基团或Si-烷氧基基团的 非线性有机硅树脂的混合物处理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏康宁公司,未经陶氏康宁公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780034464.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top