[发明专利]由蜡蛇纹石组合物制备合成滑石组合物的方法

权利要求书

1.一种用于制备合成滑石组合物的方法，在该方法中，在低于5巴的 压力下对合成蜡蛇纹石组合物进行一段时间的无水热处理，并且处理温度 大于300℃，如此选择以获得式Si₄Mg₃O₁₀(OH)₂的热稳定的合成滑石颗粒， 其中处理时间大于5小时，并且所述蜡蛇纹石组合物由式Si₄Mg₃O₁₁，n′H₂O 的硅金属凝胶制备，所述硅金属凝胶在饱和水蒸汽压以及100℃至240℃的 温度下经受一天至几个月时间段的水热处理，其中n′是正整数。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述无水热处理在500至550℃的温 度下进行。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述无水热处理在坩锅内、在环 境空气中进行。

4.如权利要求1所述的方法，其中对所述合成滑石组合物进行机械研 磨以获得粉状组合物。

5.如权利要求1所述的方法，其中在将所述蜡蛇纹石组合物干燥和研 磨后，对其进行无水热处理以获得粉状组合物。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述硅金属凝胶由根据以下反应的 共沉淀来制备

m、n′和(m-n′+1)是正整数。

7.包含式Si₄Mg₃O₁₀(OH)₂的滑石颗粒的合成滑石组合物；

所述组合物的特征在于所述滑石颗粒的X射线衍射分析获得具有以下 特征衍射峰的衍射图：

-位于9.40-9.68的峰，对应于面(001)；

-位于4.50-4.60的峰，对应于面(020)；

-位于3.10-3.20的峰，对应于面(003)；

-位于1.50-1.55的峰，对应于面(060)。

8.如权利要求7所述的组合物，其中对应于面(001)的衍射峰位于 9.40-9.43的距离。

9.如权利要求7或8所述的组合物，其中所述滑石颗粒具有小于500 nm的粒度。

10.如权利要求7所述的组合物，其中所述滑石颗粒具有20nm至100 nm的粒度。

11.如权利要求7所述的组合物，其中所述滑石颗粒以个体化且粉状的 形式存在。

12.如权利要求7所述的组合物，其中所述滑石颗粒以分散于液体中的 个体化形式存在。

13.如权利要求7所述的组合物，其中所述滑石颗粒以彼此聚集并形成 聚集体的形式存在。