[发明专利]等离子体清洁方法和等离子体CVD方法

权利要求书

1.一种等离子体清洁方法，用来在等离子体处理装置中，使用清洁气体的等离子体对等离子体处理装置中沉积有沉积物的处理容器内进行清洁，该等离子体清洁方法的特征在于，包括：

向所述处理容器内导入含有NF₃气体的清洁气体并形成等离子体，除去所述处理容器内的沉积物的工序；在除去所述沉积物之后，向所述处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氟的工序；和。

在除去氟之后，向所述处理容器内导入稀有气体而形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氢的工序。

2.如权利要求1所述的等离子体清洁方法，其特征在于：

反复进行所述除去氟的工序和所述除去氢的工序。

3.如权利要求1所述的等离子体清洁方法，其特征在于：

在除去所述沉积物时、除去氟时和除去氢时，通过分别对等离子体的发光进行监视而进行终点检测。

4.如权利要求1所述的等离子体清洁方法，其特征在于：

所述等离子体处理装置是由具有多个隙缝的平面天线向所述处理容器内导入微波而形成等离子体，在被处理基板表面沉积氮化硅膜的等离子体CVD装置。

5.一种等离子体清洁方法，用来在设置有具有多个隙缝的平面天线的微波处理装置中，使用清洁气体的等离子体对微波处理装置中沉积有沉积物的处理容器内进行清洁，该等离子体清洁方法的特征在于，包括：

向所述处理容器内导入含有NF₃气体的清洁气体的工序；

通过所述平面天线向所述处理容器内供给微波，从而在所述处理容器内形成所述清洁气体的等离子体并生成F的活性种的工序；

使所述处理容器内的所述沉积物与所述F的活性种反应使所述沉积物挥发的工序；将所述已挥发的沉积物成分从所述处理容器排出的工序；

在排出所述已挥发的沉积物成分之后，向所述处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氟的工序；和

在除去氟之后，向所述处理容器内导入稀有气体而形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氢的工序。

6.一种等离子体CVD方法，用来在等离子体CVD装置的处理容器内在被处理基板表面沉积氮化硅膜，其特征在于，包括：

利用向所述处理容器内导入的包括含氮气体和含硅气体的气体形成等离子体，利用该等离子体在被处理基板的表面沉积氮化硅膜的工序；

在所述处理容器内导入含有NF₃气体的清洁气体并形成等离子体，除去所述处理容器内的沉积物的工序；

在除去所述沉积物之后，向所述处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氟的工序；和

在除去氟之后，进一步向所述处理容器内导入稀有气体而形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氢的工序。

7.如权利要求6所述的等离子体CVD方法，其特征在于：

反复进行所述除去氟的工序和所述除去氢的工序。

8.如权利要求6所述的等离子体CVD方法，其特征在于：

在除去氢之后，再次进行所述等离子体CVD工序。

9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

使用等离子体处理被处理基板、能够真空排气的处理容器；

具有向所述处理容器内导入微波的多个隙缝的平面天线；

向所述处理容器内供给清洁气体的气体供给机构；和

控制部，其控制各结构部以实施等离子体清洁方法，该等离子体清洁方法包括：向所述处理容器内导入含有NF₃气体的清洁气体并形成等离子体，除去所述处理容器内的沉积物的工序；在除去所述沉积物之后，向所述处理容器内导入含有氢气的气体并形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氟的工序；和在除去氟之后，向所述处理容器内导入稀有气体而形成等离子体，除去残留在所述处理容器内的氢的工序。