[发明专利]形成线环期间控制键合工具的轨迹的方法有效
申请号: | 200780034873.2 | 申请日: | 2007-10-25 |
公开(公告)号: | CN101517723A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 秦巍;Z·艾哈迈德;I·巴尔卡那;I·福金 | 申请(专利权)人: | 库利克和索夫工业公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K20/00;H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 邬少俊 |
地址: | 美国宾*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 期间 控制键 工具 轨迹 方法 | ||
1.一种实时确定在线环形成中使用的引线的弧运动的轨迹的方法,所 述弧运动位于所述轨迹的第一点和第二点之间,所述方法包括如下步骤:
(1)相对于所述第一点和所述第二点定义枢轴点;
(2)确定用于产生所述轨迹的多个数据点,每个所述数据点包括作为 时间函数的半径值和角度值,每个所述角度值介于由所述枢轴点和所述第 一点定义的第一角度和由所述枢轴点和所述第二点定义的第二角度之间; 以及
(3)将所述多个数据点转换成可以由引线键合机使用的轨迹数据。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括定义与所述第一 点和所述第二点中的每一个都等距的枢轴点。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在步骤(2)中确定的每个所述 数据点的所述半径值基本相同。
4.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括定义所述枢轴点, 使得所述第一点和所述第二点距所定义的枢轴点的距离不同。
5.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(3)包括将所述多个数据 点转换成笛卡儿坐标轨迹数据。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述笛卡儿坐标轨迹数据点包括 沿引线键合机的z轴以及所述引线键合机的x轴和所述引线键合机的y轴 中的至少一个的值。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述笛卡儿坐标轨迹数据点包括 沿引线键合机的z轴、所述引线键合机的x轴和所述引线键合机的y轴的 值。
8.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤(4),即在所述弧运动中 在所述第一点和所述第二点之间选择第三点,其中在步骤(2)之前完成步 骤(4)。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤(4),即在所述弧运动中 在所述第一点和所述第二点之间选择至少一个额外的点,其中在步骤(2) 之前完成步骤(4)。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤(4),即确定所述枢轴 点和所述第一点之间的第一半径RA,确定所述枢轴点和所述第二点之间的 第二半径RB,其中在步骤(2)之前完成步骤(4),并且其中在基准线和第 一半径RA之间定义所述第一角度并且其中在所述基准线和所述第 二半径RB之间定义所述第二角度
11.根据权利要求10所述的方法,其中步骤(2)包括结合所述第一 半径RA、所述第二半径RB、所述第一角度和所述第二角度使用时基 函数,以便确定用于产生所述轨迹的所述多个数据点。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述弧运动对应于从环的顶部 位置到第二键合位置的弧运动。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述弧运动对应于形成所述线 环的第一键合之后不久的弧运动。
14.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(1)包括将所述枢轴点定 义为如下之一:在第一键合位置处的键合工具尖端的位置,在形成第一键 合之后,形成短弯曲之后的所述键合工具尖端的位置,以及在所述引线的 受热量影响的区域的末端处的所述键合工具尖端的位置。
15.一种包括计算机程序指令的计算机可读载体,所述计算机程序指 令使计算机实施实时确定在线环形成中使用的引线的弧运动的轨迹的方 法,所述弧运动位于所述轨迹的第一点和第二点之间,所述方法包括如下 步骤:
(1)相对于所述第一点和所述第二点定义枢轴点;
(2)确定用于产生所述轨迹的多个数据点,每个所述数据点包括作为 时间函数的半径值和角度值,每个所述角度值介于由所述枢轴点和所述第 一点定义的第一角度和由所述枢轴点和所述第二点定义的第二角度之间; 以及
(3)将所述多个数据点转换成可以由引线键合机使用的轨迹数据。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造