[发明专利]包括乙烯多嵌段共聚物的电子器件模块有效
申请号: | 200780034917.1 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101517750A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 拉詹·M·帕特尔;吴绍富;马克·T·伯纽斯;穆罕麦德·埃塞吉尔;罗伯特·L·麦吉;迈克尔·H·马佐;约翰·诺莫维茨 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吴培善 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 乙烯 多嵌段 共聚物 电子器件 模块 | ||
1.一种电子器件模块,其包括:
A.至少一个电子器件,和
B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料,所述聚合物材料包括(1)乙烯多嵌段共聚物,所述乙烯多嵌段共聚物的特征在于(a)大于1.3的分子量分布,(b)小于0.90g/cc的密度,(c)小于150兆帕(MPa)的2%割线模量,通过ASTM D-882-02测得,(d)小于125℃的熔点,(e)至少10重量%和小于80重量%(wt%)的α-烯烃含量,基于共聚物的重量,和(f)小于-35℃的Tg,(2)任选的自由基引发剂,和(3)任选的活性助剂。
2.权利要求1的模块,其中所述电子器件是太阳能电池。
3.权利要求2的模块,其中所述自由基引发剂存在的量为至少0.05wt%,基于共聚物的重量。
4.权利要求3的模块,其中所述活性助剂存在的量为至少0.05wt%,基于共聚物的重量。
5.权利要求4的模块,其中所述自由基引发剂是过氧化物。
6.权利要求1的模块,其中所述聚烯烃共聚物是交联的,从而使得所述共聚物含有小于70%的二甲苯可溶的可萃取物,根据ASTM 2765-95测得。
7.权利要求1的模块,其中所述聚合物材料是与所述电子器件的至少一个表面密切接触的单层膜的形式。
8.权利要求1的模块,其中所述聚合物材料还包括焦化抑制剂,其量为0.01至1.7wt%。
9.权利要求1的模块,还包括至少一个玻璃盖片。
10.权利要求1的模块,其中所述聚合物材料还包括包括接枝有不饱和的有机化合物的聚烯烃聚合物,所述不饱和的有机化合物含有至少一个烯属不饱和度和至少一个羰基基团。
11.权利要求10的模块,其中所述不饱和的有机化合物是马来酸酐。
12.权利要求1的模块,其中所述乙烯多嵌段共聚物进一步的特征在于以下特征的至少一个:(i)当使用TREF进行分级时在40℃和130℃之间洗提的分子级分,特征在于所述级分具有至少0.5和至多1的区段指数和大于1.3的MWD,和(ii)大于零和至多1.0的平均区段指数和大于1.3的MWD。
13.一种电子器件模块,其包括:
A.至少一个电子器件,和
B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料,所述聚合物材料包括(1)乙烯多嵌段共聚物,所述乙烯多嵌段共聚物具有以下至少一种性质(a)大于1.3的分子量分布,(b)小于0.90g/cc的密度,(c)小于150兆帕(MPa)的2%割线模量,通过ASTM D-882-02测得,(d)小于125℃的熔点,(e)至少10和小于80wt%的α-烯烃含量,基于共聚物的重量,和(f)小于-35℃的Tg,(2)乙烯基硅烷,其量为至少0.1wt%,基于共聚物的重量,(3)自由基引发剂,其量为至少0.05wt%,基于共聚物的重量,和(4)任选的活性助剂。
14.权利要求13的模块,其中所述电子器件是太阳能电池。
15.权利要求14的模块,其中所述活性助剂存在的量为至少0.05wt%,基于共聚物的重量。
16.权利要求15的模块,其中所述自由基引发剂是过氧化物。
17.权利要求16的模块,其中所述乙烯基硅烷是乙烯基三乙氧基硅烷和乙烯基三甲氧基硅烷中的至少一种。
18.权利要求13的模块,其中所述聚烯烃共聚物是交联的,从而使得所述共聚物含有小于70%的二甲苯可溶的可萃取物,根据ASTM 2765-95测得。
19.权利要求13的模块,其中所述聚合物材料是与所述电子器件的至少一个表面密切接触的单层膜的形式。
20.权利要求13的模块,其中所述聚合物材料还包括焦化抑制剂,其量为0.01至1.7wt%。
21.权利要求13的模块,其中所述聚合物材料还包括接枝有不饱和的有机化合物的聚烯烃聚合物,所述不饱和的有机化合物含有至少一个烯属不饱和度和至少一个羰基基团。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的