[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，该电子器件包括穿过半导体衬底 的垂直互连结构，所述半导体衬底具有在第一侧上的第一表面和在第 二侧上的第二表面，所述垂直互连结构从第一表面延伸到第二表面，

-该方法包括以下步骤：

-向衬底提供被布置在第一表面和第二表面之间的牺牲掩埋层；

-通过从衬底的第一侧去除材料，向衬底提供从第一表面延伸 到牺牲掩埋层的沟槽，从而牺牲掩埋层暴露了第一区域，牺牲掩埋层 具有与第一区域的平面平行的第一横截面，该第一横截面大于第一区 域并且与第一区域重叠，

通过从衬底的第二侧相对于牺牲掩埋层有选择地去除材料，向 衬底提供从第二表面延伸到牺牲掩埋层的孔，从而牺牲掩埋层暴露了 第二区域，牺牲掩埋层具有与第二区域的平面平行的第二横截面，该 第二横截面大于第二区域并且与第二区域重叠，并且第二区域大于第 一区域，以及

相对于其他衬底材料，部分且选择性去除牺牲掩埋层，从而打 开其中将形成垂直互连结构的垂直互连孔；

其中向衬底提供牺牲掩埋层的步骤包括：

-提供不具有牺牲掩埋层的衬底；

-在执行提供孔的步骤之前提供沟槽，提供沟槽的步骤包括从 衬底的第一侧各向异性去除材料，使得形成具有底部的沟槽，该底部 的底部区域位于半导体衬底内的第一表面和第二表面之间，以及

-在提供沟槽之后并且在提供孔之前，通过在沟槽底部形成空 腔并用牺牲材料填充该空腔的至少一部分来执行提供牺牲掩埋层的 步骤，使得在半导体衬底的第一表面和第二表面之间提供该牺牲掩埋 层，其中空腔具有与沟槽底部的平面平行的横截面，并且该横截面大 于沟槽底部的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中采用各向同性干法蚀刻技 术来提供所述空腔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括步骤：

-向沟槽提供至少延伸到第一表面的临时填充物；

-在提供临时填充物之后，继续处理来进一步构建电子器件，

-在继续处理之后，从第二侧去除牺牲掩埋层和临时填充物以 打开垂直互连孔。

4.根据权利要求3所述的方法，其中沟槽的临时填充物选自不 会污染半导体处理工具的材料所构成的组中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括步骤：

-向沟槽提供至少延伸至第一表面的临时填充物，

-在衬底的第一侧上提供至少覆盖临时填充物的临时覆盖层，

-在提供临时覆盖层之后，从第二侧去除牺牲掩埋层和临时填 充物，从而从第二侧暴露临时覆盖层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中向衬底提供沟槽的步骤包 括以在打开孔和去除牺牲掩埋层之后多个沟槽中的至少两个与单个 孔连接的方式向衬底提供多个沟槽。

7.根据权利要求1所述的方法，其中向衬底提供沟槽的步骤包 括向衬底提供多个沟槽，并且提供牺牲掩埋层的步骤包括以形成将至 少两个沟槽互连的单个大空腔的方式在至少两个沟槽的底部形成空 腔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中根据标准工序来完成电子 器件以形成立即可用的电子单元。