[发明专利]光学记录材料

说明书

技术领域

本发明涉及通过主要利用激光等以信息图案的形式来记录信息的光学记录介质中使用的光学记录材料，更详细而言涉及在能够利用具有紫外和可见光区域的波长且能量低的激光等进行高密度的光学记录及再生的光学记录介质中使用的光学记录材料。 

背景技术

光学记录介质由于通常具有记录容量大、以非接触方式进行记录或再生等优点而广泛普及。在WORM、CD-R、DVD±R等追记型光盘中，使激光会聚在记录层的微小面积上，改变光学记录层的性状来进行记录，根据记录部分与未记录部分的反射光量的差别来进行再生。 

目前，在上述光盘中，就记录和再生中使用的半导体激光的波长而言，CD-R为750～830nm，DVD-R为620nm～690nm，为了进一步增加容量，人们正在研究使用短波长激光的光盘，例如正在研究使用380～420nm的光作为记录光的光盘。 

在短波长记录光用的光学记录介质中，在光学记录层的形成时，使用各种化合物。例如，在专利文献1中报告了使用具有假吲哚骨架的茂金属衍生物作为光稳定剂或凹坑控制剂的光学记录材料，在专利文献2～4中报告了含有具有特定结构的花青化合物的光学记录材料。但是，这些化合物作为光学记录层的形成中使用的光学记录材料，其吸收波长特性以及在制作光学记录介质的涂布中使用的溶剂中的溶解性并不一定适合。 

专利文献1：日本特开2001-47740号公报 

专利文献2：日本特开2001-301333号公报 

专利文献3：日本特开2004-98542号公报 

专利文献4：日本特开2006-150841号公报 

发明内容

因此，本发明的目的在于提供含有溶解性优异、适于形成短波长记录光用的光学记录介质的光学记录层的化合物的光学记录材料。 

本发明的发明人进行了反复研究，结果发现具有特定结构的茂金属衍生物具有溶解性优异、适于形成短波长记录光用的光学记录介质的光学记录层的吸收波长特性，通过使用该茂金属衍生物，发现能够解决上述课题。 

本发明是基于上述发现而完成的发明，本发明通过提供一种含有至少1种下述通式(I)表示的化合物的光学记录材料，从而实现了上述目的。 

(式中，R¹和R²分别独立地表示氢原子、羟基、卤原子、硝基、氰基、碳原子数为1～30的有机基团或下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基团；R¹和R²可以相互连接形成环结构；X¹表示-CR³R⁴-或-NH-；Y¹表示碳原子数为1～30的有机基团，下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的取代基；R³和R⁴表示氢原子，碳原子数为1～30的有机基团，下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的取代基。其中，当Y¹为下述通式(III)表示的基团时，R³表示氢原子，碳原子数为1～30的有机基团，下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基团；当Y¹为碳原子数为1～30的有机基团、通式(II)或通式(II’)表示的基团时，R³表示下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基团。M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir，An^q-表示q价的阴离子，p表示保持电荷中性的系数，q为1或2。) 

(上述通式(II)中，G和T之间的键为双键、共轭双键或三键；G表示碳原子；T表示碳原子、氧原子或氮原子；w表示0～4的数；x、y和z表示0或1(当T为氧原子时，y和z为0；当T为氮原子时，y+z为0或1)；R⁰¹、R⁰²、R⁰³和R⁰⁴分别独立地表示氢原子、羟基、氰基、硝基、卤原子或可以具有取代基的碳原子数为1～4的烷基，该烷基中的亚甲基可以被-O-或-CO-取代，R⁰¹和R⁰⁴可以结合形成环结构。