[发明专利]半导体元件金属化方法及其应用

权利要求书

1、一种采用铝金属使半导体元件的至少一个表面至少部分金属化的方 法，其中

a)使一铝金属薄片与该表面至少部分地直接接触，以及

b)随后，通过能量作用来实现该铝金属到半导体元件的该表面的至少部 分连接。

2、根据权利要求1所述的方法，其中通过对该铝金属薄片进行挤压、鼓 风和/或抽吸到该表面上来实现该铝金属薄片(步骤a)的贴敷。

3、根据权利要求1所述的方法，其中通过沉积在该表面和该铝金属薄片 之间的液态薄膜来实现该铝金属薄片(步骤a)的贴敷。

4、根据权利要求3所述的方法，其中一水膜和/或溶剂膜被用作该液态 薄膜。

5、根据权利要求1所述的方法，其中通过沉积在该表面和该铝金属薄片 之间的牺牲层来实现该铝金属薄片(步骤a)的贴敷。

6、根据权利要求5所述的方法，其中非晶硅、绝缘介质层、金属层、有 机物质形成的层和/或这些物质形成的金属薄片被用作该牺牲层。

7、根据权利要求1-6任一所述的方法，其中该铝金属薄片具有1μm～20μm 的厚度。

8、根据权利要求1-7任一所述的方法，其中该铝金属薄片在其尺寸上与 将被金属化的半导体元件的表面的尺寸相一致。

9、根据权利要求1-7任一所述的方法，其中该铝金属薄片具有比将被金 属化的半导体元件的表面更大的尺寸。

10、根据权利要求1-9任一所述的方法，其中该铝金属薄片具有附加的 金属结构。

11、根据权利要求10所述的方法，其中以在铝金属薄片中的金属带状物 的形式形成该附加结构。

12、根据权利要求10或11所述的方法，其中该金属结构如此形成以使 其能够被用于连接另外的半导体元件。

13、根据权利要求1-12任一所述的方法，其中通过激光的作用，实现该 铝金属薄片到该表面的至少部分连接(方法步骤b)。

14、根据权利要求13所述的方法，其中该激光在指定的结构之上传播。

15、根据权利要求14或15所述的方法，其中利用该激光制成带状物和/ 或点状结构。

16、根据权利要求1-15任一所述的方法，其中一太阳能电池被用作半导 体元件。

17、根据权利要求16所述的方法，其中对该太阳能电池金属化，用作后 端接触点。

18、一种根据权利要求1-17任一所述方法的应用，用于金属化太阳能电 池。

19、根据权利要求18所述的应用，用作在该太阳能电池上的后端接触点。