[发明专利]发光二极管的亮度增强方法和装置有效
申请号: | 200780035026.8 | 申请日: | 2007-09-22 |
公开(公告)号: | CN101529162A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 徐丽;李屹 | 申请(专利权)人: | 绎立锐光科技开发有限公司 |
主分类号: | F21V29/00 | 分类号: | F21V29/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 颜 涛;郑 霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 亮度 增强 方法 装置 | ||
1.一种发光二极管设备,其包括:
a)发光二极管芯片,其具有高反射层与发光层;以及
b)角度选择滤光片,其传播入射角小于选择角度的光,以及反射入 射角大于所述选择角度的光;
所述发光层位于所述高反射层与所述角度选择滤光片之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管设备,其中所述选择角度在5°到 75°之间。
3.如权利要求1所述的发光二极管设备,其中所述角度选择滤光片 与所述LED芯片直接接触。
4.如权利要求1所述的发光二极管设备,其进一步包括布置在所述 角度选择滤光片和所述LED芯片之间的折射指数匹配的材料。
5.如权利要求1所述的发光二极管设备,其中所述角度选择滤光片 由折射指数交变的膜的叠层制成。
6.如权利要求1所述的发光二极管设备,其进一步包括光纤,其中 所述光纤的受光角匹配所述角度选择滤光片的所述选择角度,以及其中所 述光纤连接到所述角度选择滤光片。
7.如权利要求1所述的发光二极管设备,其进一步包括光纤,其中 所述光纤的受光角等于或大于所述角度选择滤光片的所述选择角度,以及 其中所述光纤连接到所述角度选择滤光片。
8.如权利要求1所述的发光二极管设备,其中入射角大于所述选择 角度的部分光被所述高反射层和所述角度选择滤光片转换为入射角小于 所述选择角度的光。
9.如权利要求1所述的发光二极管设备,其中所述发光二极管芯片 发射蓝光,所述角度选择滤光片传播入射角小于选择角度的蓝光,以及反 射入射角大于所述选择角度的蓝光。
10.一种发光二极管设备,其包括:
a)发光二极管芯片,其具有高反射层;
b)角度选择滤光片,其传播入射角小于选择角度的光,以及反射入 射角大于选择角度的光;以及
c)空气间隙,其位于所述LED芯片和所述角度选择滤光片之间。
11.如权利要求10所述的发光二极管设备,其中所述角度选择滤光片 位于光发射路径处,以及所述空气间隙厚度小于1mm。
12.如权利要求10所述的发光二极管设备,其进一步包括光纤,其中 所述光纤的受光角匹配所述滤光片的所述选择角度,以及所述光纤连接到 所述角度选择滤光片。
13.如权利要求10所述的发光二极管设备,其中入射角大于所述选 择角度的部分光被所述高反射层和所述角度选择滤光片转换为入射角小 于所述选择角度的光。
14.如权利要求10所述的发光二极管设备,其中所述发光二极管芯 片发射蓝光,所述角度选择滤光片传播入射角小于选择角度的蓝光,以及 反射入射角大于所述选择角度的蓝光。
15.一种发光二极管设备,其包括:
a)发光二极管芯片,其具有高反射层与发光层;
b)角度选择滤光片,其传播入射角小于选择角度的光,以及反射入 射角大于所述选择角度的光;所述发光层位于所述高反射层与所述角度选 择滤光片之间;以及
c)偏振器,其位于光离开方向上靠近所述角度选择滤光片。
16.如权利要求15所述的发光二极管设备,其中所述偏振器是反射偏 振器。
17.如权利要求16所述的发光二极管设备,其进一步包括插入在所述 偏振器和所述角度选择滤光片之间的相位延迟器。
18.如权利要求17所述的发光二极管设备,其中所述相位延迟器是四 分之一波片。
19.如权利要求15所述的发光二极管设备,其中入射角大于所述选 择角度的部分光被所述高反射层和所述角度选择滤光片转换为入射角小 于所述选择角度的光。
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