[发明专利]包括由应变的集合体材料制成的布拉格段的带分布式布拉格光栅的可调谐激光器

权利要求书

1.一种具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其包括布拉格无源段，所述布拉格无源段包括其光学折射率变化由注入电流控制的材料，其中布拉格段的所述材料是由具有相同材料的多个层组成的应变的集合体材料，每层具有栅格参数并且所述集合体材料的应变等于各层之间的栅格参数的相对变化。

2.根据权利要求1所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中应用于所述集合体材料的应变至少为0.1％。

3.根据权利要求1或2所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中所述材料包括一连串的层，其中一些层有应变而其他层无应变。

4.根据权利要求1所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中以压缩方式施加所述应变。

5.根据权利要求1所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中以拉伸方式施加所述应变。

6.根据权利要求1所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中所述应变的集合体材料是四价材料。

7.根据权利要求6所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中所述四价材料是铟镓砷磷，对应于最大光致发光的波长的值为1.45微米，所述材料被命名为Q 1.45。

8.根据权利要求1所述的具有分布式布拉格光栅的可调谐半导体设备，其中所述设备是DBR型可调谐激光器。