[发明专利]C-平面蓝宝石方法和设备有效
| 申请号： | 200780035269.1 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN101522961A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | V·塔塔拉切科;C·D·琼斯;S·A·扎内拉;J·W·洛切;F·普拉纳迪 | 申请（专利权）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 韦 东 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 蓝宝石 方法 设备 | ||
1.一种单晶生长设备，其包括：
熔体源；
与所述熔体源相邻的模头；
具有第一热梯度的第一区域，所述第一区域设置在与模头开口相邻的 位置；
具有第二热梯度的第二区域，所述第二区域设置在与所述第一区域相 邻并且远离所述模头的位置，所述第二热梯度小于所述第一热梯度。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二区域被主动地加 热。
3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备包括后加热器， 该后加热器包括感应耦合的加热元件或电阻加热元件。
4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度的数值至 少为第二热梯度的两倍。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度大于10℃/ 厘米，所述第二热梯度小于5℃/厘米。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度大于15℃/ 厘米，所述第二热梯度小于3℃/厘米。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度沿晶体生 长路径延伸至少1厘米的距离。
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度沿晶体生 长路径延伸至少2厘米的距离。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度沿晶体生 长路径延伸至少3厘米的距离。
10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一热梯度沿晶体生 长路径延伸小于10厘米的距离。
11.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二热梯度沿晶体生 长路径延伸至少1厘米的距离。
12.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二热梯度沿晶体生 长路径延伸至少2厘米的距离。
13.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二热梯度沿晶体生 长路径延伸至少3厘米的距离。
14.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二热梯度沿晶体生 长路径延伸大于或等于10厘米的距离。
15.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述模头开口的宽度大于 或等于5厘米。
16.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述模头开口的宽度大于 或等于10厘米。
17.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其包括第三区域，该第三 区域位于第二区域的下游，远离熔体源，该第三区域具有大于第二热梯度 的第三热梯度。
18.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述单晶生长设备是能够 制得位错密度小于1000个位错/厘米2的C-平面单晶蓝宝石的单晶蓝宝石生 长设备。
19.如权利要求18所述的设备，其特征在于，该设备还包括位于第二 区域下游的第三区域，所述第三区域的热梯度大于第二区域的热梯度。
20.如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述第一区域的中心部 分的温度高于1850℃。
21.如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述第二区域的中心部 分的温度高于1850℃。
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