[发明专利]具有单元群体分布辅助的读取容限的存储器

说明书

技术领域

本发明大体上涉及读取非易失性及其它存储器装置的数据内容，且更明确地说，涉 及使用关于存储器单元群体的编程电平分布的信息以更准确地读取经降级分布的内容。

背景技术

随着快闪及其它存储器装置转变成较小几何形状，负面影响数据存储稳固性的许多 现象的影响有所增加。这些因素包括过度编程、读取与编程干扰以及数据保存能力问题。 随着每单元状态数目增加且随着所存储阈值电压的操作窗收缩，这些问题通常进一步受 到加剧。在存储器装置的设计阶段中通常通过可在设计内做出的各种折衷来解决这些因 素。这些折衷可增加或减小这些因素中的一个因素或其它因素的影响且/或相对于其它因 素折衷这些因素中的一些因素，例如性能、耐久性、可靠性等。除了存储器设计内的折 衷以外，还存在许多系统级机制，其可在需要时被并入以补偿这些现象从而实现产品级 规格。这些系统机制包括ECC、磨损均衡、数据刷新(或“刷洗”)及读取容限(或“英 勇恢复”)，例如在第7,012,835号、第6,151,246号且尤其是第5,657,332号美国专利中 论述。

以上现象通常在编程期间、在后续存储器操作期间或随时间具有影响单元电压阈值 分布的影响，且相对于二进制存储器存储来说，其通常在多状态存储器存储中具有较大 影响。所述影响通常将扩展单元群体内的给定存储器状态的电压阈值电平，且在一些情 况下，将移位单元阈值电平，使得其在正常读取条件下读入错误状态，在此情况下，用 于那些单元的数据位变为错误的。随着具有较小几何形状的存储器逐渐集成到存储产品 中，预期克服所预期的存储器现象所需要的存储器级折衷将使得难以实现所需要的产品 级规格。因此，将需要对这些装置的改进。

发明内容

本发明呈现一种存储器装置及数种确定其数据内容的方法。在第一参考条件及多个 次级参考条件下评估所述装置的存储器单元。基于比较在第一参考条件与第二参考条件 下评估的存储器单元的数目，存储器装置基于在所述多个参考条件下评估的存储器单元 的数目的改变速率而确立用于数据状态的读取条件。

在一些实施例中，响应于确定使用标准读取条件的评估具有不可接受的错误水平而 执行所述使用多个次级读取条件的存储器单元的评估。基于使用标准读取条件及多个次 级读取条件的评估的结果而提取关于存储器单元的经编程状态群体分布的信息。确定不 同于标准读取条件的经修改的读取条件，在所述经修改的读取条件下将评估存储器单元 以基于关于经编程状态群体分布的信息而确定其数据内容。

本发明的额外方面、优点及特征包括于以下对其示范性实例的描述中。出于所有目 的，本文中参考的所有专利、专利申请案、论文、书籍、说明书、其它出版物、文献及 项目的全文均以引用的方式并入本文中。就任何所并入的出版物、文献或事物与本文献 的文本之间的术语定义或使用中的任何不一致性或冲突方面来说，应以本文献中的术语 定义或使用为准。

附图说明

可通过结合附图参看以下描述内容来最好地理解本发明，在附图中：

图1展示经编程存储器状态的经降级分布的实例。

图2是说明本发明各方面的流程图。

具体实施方式

本发明涉及读取存储器系统的数据内容。当数据(不管是以每存储器单元二进制还 是多状态形式存储)被编程到存储器中时，被编程到给定状态的个别单元的群体将形成 围绕对应于相应存储状态的参数的所要值的分布。举例来说，在快闪存储器的情况下， 其阈值电压表征特定数据状态。如果数据状态对应于例如为2伏的阈值电压，则被编程 到此状态的单元将并非全部在恰好2.0伏处结束，而是在大部分位于用于所述状态的对 应编程验证电平上方的分布上展开。虽然在编程时可良好地定义并清楚地分开对应于数 据状态的分布，但随时间及操作历史，所述分布可扩展。由于用以区分一个状态与另一 状态的读取条件可能不再正确地读取其阈值已过多移位的单元的状态，所以此降级可能 导致数据的误读取。