[发明专利]自对准平面相变存储器元件及装置、采用所述元件及装置的系统以及形成所述元件及装置的方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

至少一个存储器元件，其包括：

第一及第二电极；及

相变材料层，其位于所述第一与第二电极之间，所述相变材料层具有至少第一及第二部分，所述第一部分具有小于所述第二部分的宽度的宽度，

其中所述第一电极、第二电极及相变材料层至少部分地沿同一水平面而定向。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一及第二电极自对准到所述相变材料层。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一部分在所述第一与第二电极之间间隔开。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一部分中心定位在所述第一与第二电极之间。

5.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述相变材料层的宽度从邻近所述第一及第二电极的点到所述第一部分逐渐减小。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述相变材料层的宽度从邻近所述第一及第二电极的点到所述第一部分以逐步方式减小。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述相变材料层的宽度从邻近所述第一及第二电极的点到所述第一部分线性地减小。

8.如权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个存储器元件进一步包括位于所述第一与第二电极之间的第一及第二介电层，且其中所述相变材料层垂直地设置在所述第一与第二介电层之间并与其接触。

9.如权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括至少一个传导插头，其中所述第一电极与所述至少一个传导插头接触。

10.如权利要求1所述的存储器装置，其进一步包括至少两个存储器元件及一传导互连，其中所述传导互连与所述至少两个存储器元件的第二电极接触。

11.一种处理器系统，其包括：

处理器，其耦合到存储器装置，所述存储器装置包括：

多个存储器元件，至少两个存储器元件包括：

相变材料层，及

第一及第二电极，其沿水平面位于所述相变材料层的相对端处；

介电层，其位于所述至少两个存储器元件上方；

传导互连，其位于所述介电层内，所述传导互连与所述至少两个存储器元件的所述第二电极接触。

12.如权利要求11所述的系统，其中所述相变材料层中位于所述第一与第二电极之间的第一部分的宽度小于所述相变材料层中位于邻近所述第一电极处的第二部分的宽度及所述相变材料层中位于邻近所述第二电极处的第三部分的宽度中的每一者。

13.如权利要求12所述的系统，其中所述第一部分中心定位在所述第一与第二电极之间。

14.如权利要求11所述的系统，其中所述相变材料层经配置以使得所述相变材料层的可编程体积与所述第一及第二电极间隔开。

15.如权利要求11所述的系统，其中所述传导互连与所述至少两个存储器元件的所述第二电极自对准。

16.一种存储器元件，其包括：

第一及第二电极；及

相变材料层，其位于所述第一与第二电极之间，所述相变材料层经配置以使得所述相变材料层的可编程体积与所述第一及第二电极间隔开。

17.如权利要求16所述的存储器元件，其中所述第一电极、第二电极及相变材料层至少部分地沿同一水平面而定向。

18.如权利要求17所述的存储器元件，其进一步包括位于所述第一与第二电极之间的第一及第二介电层，其中所述相变材料层垂直地设置在所述第一与第二介电层之间并与其接触。

19.如权利要求16所述的存储器元件，其中所述相变材料层具有第一及第二部分，所述第一部分具有小于所述第二部分的宽度的宽度。

20.如权利要求18所述的存储器元件，其中所述第一部分包括所述可编程体积。

21.如权利要求18所述的存储器元件，其中所述相变材料层的宽度从邻近所述第一及第二电极的点到所述第一部分逐渐减小。

22.如权利要求16所述的存储器元件，其中所述可编程体积中心定位在所述第一与第二电极之间。