[发明专利]Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件和灯

权利要求书

1.一种III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在蓝宝石基 板上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层，并在该中间层上依次层 叠具有基底层的n型半导体层、发光层和p型半导体层的III族氮化物化合 物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具有：使所述基板的温度为 300～800℃的范围、使处理时间为30秒～3600秒的范围、使含有氮的气 体在室内流通、利用采用了高频率的电源来产生氮等离子体而对所述基板 进行反溅射的预处理工序；和继该预处理工序之后的、采用溅射法在所述 基板上形成所述中间层的溅射工序。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，所述预处理工序中，在所述室内流通的所述含有氮的气 体的分压为1×10^-2～10Pa的范围。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制 造方法，其特征在于，所述预处理工序是使所述室内的压力为0.1～5Pa的 范围而进行的。

4.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，所述预处理工序是使处理时间为60秒～600秒的范围而 进行的。

5.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，在同一室内进行所述预处理工序和所述溅射工序。

6.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，以覆盖所述基板表面的至少90％的方式形成所述中间层。

7.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，所述溅射工序使用含有V族元素的原料。

8.根据权利要求7所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，所述溅射工序采用使含有V族元素的原料在反应器内流 通的反应性溅射法来形成所述中间层。

9.根据权利要求7所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方 法，其特征在于，所述V族元素是氮。

10.根据权利要求7所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，作为所述含有V族元素的原料使用氨。

11.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，所述溅射工序是采用RF溅射法形成所述中间层的。

12.根据权利要求11所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，所述溅射工序是采用RF溅射法，一边使阴极的磁铁 移动一边形成所述中间层的。

13.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，所述溅射工序是使所述基板的温度为400～800℃的范 围而形成所述中间层的。

14.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，采用MOCVD法在所述中间层上形成所述基底层。

15.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，采用反应性溅射法在所述中间层上形成所述基底层。

16.根据权利要求1所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造 方法，其特征在于，使所述基板的温度为900℃以上而形成所述基底层。