[发明专利]面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置无效
申请号: | 200780035927.7 | 申请日: | 2007-08-22 |
公开(公告)号: | CN101517706A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 柴田和生;川崎裕雄 | 申请(专利权)人: | 科发伦材料株式会社;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H05B3/14;H05B3/28;H05B3/74;H05B3/86 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;刘华联 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 具有 半导体 热处理 装置 | ||
1.一种面状加热器,其包括:
在二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封为平面状的碳线发热体、 以及在所述碳线发热体上方在二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封 为平面状的接地电极,其中,通过将所述碳线发热体容纳于形成于二 氧化硅玻璃板状体的底面的槽内,所述接地电极容纳于形成于所述二 氧化硅玻璃板状体的顶面的凹部内,将另外二氧化硅玻璃板状体熔融 结合到所述二氧化硅玻璃板状体的顶面和底面上,从而将所述碳线发 热体及所述接地电极密封在二氧化硅玻璃板状体的内部,并且,其中, 所述凹部内形成有多个凸部,所述接地电极上以预定间隔形成有多个 通孔,所述凹部内的凸部插入并通过所述接地电极的通孔。
2.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,所述接地 电极由碳材料形成。
3.根据权利要求2所述的面状加热器,其特征在于,所述碳材 料是厚度为1mm或以下的碳片。
4.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,所述二氧 化硅玻璃板状体的顶面和另一个二氧化硅玻璃板状体的熔融结合区 域与所述二氧化硅玻璃板状体的底面和另一个二氧化硅玻璃板状体 的熔融结合区域之间的差在8%或以下。
5.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,通过将连 接到所述接地电极上的连接线弯折到所述接地电极的底面上,形成电 连接。
6.根据权利要求5所述的面状加热器,其特征在于,在连接到 所述接地电极的连接线上形成有纽结部,所述纽结部弯折到所述接地 电极的底面上。
7.一种半导体热处理装置,其具有权利要求1至6中任一项所 述的面状加热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造