[发明专利]面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置无效

专利信息
申请号: 200780035927.7 申请日: 2007-08-22
公开(公告)号: CN101517706A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 柴田和生;川崎裕雄 申请(专利权)人: 科发伦材料株式会社;东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C23C16/46;H01L21/02;H05B3/14;H05B3/28;H05B3/74;H05B3/86
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘华联
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 加热器 具有 半导体 热处理 装置
【权利要求书】:

1.一种面状加热器,其包括:

在二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封为平面状的碳线发热体、 以及在所述碳线发热体上方在二氧化硅玻璃板状体内部配置并密封 为平面状的接地电极,其中,通过将所述碳线发热体容纳于形成于二 氧化硅玻璃板状体的底面的槽内,所述接地电极容纳于形成于所述二 氧化硅玻璃板状体的顶面的凹部内,将另外二氧化硅玻璃板状体熔融 结合到所述二氧化硅玻璃板状体的顶面和底面上,从而将所述碳线发 热体及所述接地电极密封在二氧化硅玻璃板状体的内部,并且,其中, 所述凹部内形成有多个凸部,所述接地电极上以预定间隔形成有多个 通孔,所述凹部内的凸部插入并通过所述接地电极的通孔。

2.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,所述接地 电极由碳材料形成。

3.根据权利要求2所述的面状加热器,其特征在于,所述碳材 料是厚度为1mm或以下的碳片。

4.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,所述二氧 化硅玻璃板状体的顶面和另一个二氧化硅玻璃板状体的熔融结合区 域与所述二氧化硅玻璃板状体的底面和另一个二氧化硅玻璃板状体 的熔融结合区域之间的差在8%或以下。

5.根据权利要求1所述的面状加热器,其特征在于,通过将连 接到所述接地电极上的连接线弯折到所述接地电极的底面上,形成电 连接。

6.根据权利要求5所述的面状加热器,其特征在于,在连接到 所述接地电极的连接线上形成有纽结部,所述纽结部弯折到所述接地 电极的底面上。

7.一种半导体热处理装置,其具有权利要求1至6中任一项所 述的面状加热器。

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