[发明专利]半导体芯片以及制造半导体芯片的方法

权利要求书

1.具有承载体(3)和半导体基体(2)的半导体芯片(1)，所述半导体芯 片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有被设置用于生成辐射的有源区 (21)，其中，

所述承载体(3)具有向着所述半导体基体(2)的第一承载面(31)和背 离所述半导体基体(2)的第二承载面(32)；

所述半导体基体(2)借助连接层(4)以材料配合的方式被固定在所述承 载体(3)上；

在所述第二承载面(32)和所述有源区(21)之间构造有多个反射或者散 射的元件(40、7)，

所述多个反射或者散射的元件借助至少在局部具有表面结构的界面(7)构 成，

所述界面(7)的所述表面结构是借助形成有结构的表面(8)形成的，和

所述形成有结构的表面(8)具有结构元件(80)，并且被构造用于光子光 栅，其中周期长度处于在有源区(21)中生成的辐射在与具有表面结构的界面 (7)相邻接的、有源区一方的介质内的峰值波长的0.5倍至5倍的闭区间，其中 在所述周期长度之后，一系列结构元件(80)再次重现。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，结构元件(80)周期地设置。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述结构元件(80)被构造 为棱锥体式、棱锥台式、微型棱镜式或者凹槽式。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述多个反射或者散射的元 件(40、7)被构造在所述第二承载面(32)和所述半导体基体(2)之间。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，在所述半导体基体(2)和所 述连接层(4)之间构造有接触层(61)，所述接触层对于在所述有源区内生成 的辐射是可透射的。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述接触层(61)包括透明 导电氧化物。

7.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中，所述接触层(61)的折射率 匹配于所述半导体基体(2)的折射率。

8.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，在所述半导体基体 (2)和所述承载体(3)之间设置有反射层(5)。

9.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，在具有所述表面结 构的界面(7)上成型有所述连接层。

10.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，具有所述表面结构 的界面(7)是所述形成有结构的表面(8)。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片，其中，具有所述表面结构的所述 界面(7)是反射层(5)的向着所述有源区的面(50)，并且所述界面(7)的 所述表面结构遵循所述形成有结构的表面(8)的结构。

12.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述形成有结构的 表面(8)被设置在所述有源区(21)和所述连接层(4)之间。

13.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述形成有结构的 表面(8)是所述接触层(61)的向着所述承载体(3)的面。

14.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述形成有结构的 表面(8)被设置在所述连接层(4)和所述第二承载面(32)之间。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中，所述形成有结构的表面(8) 是所述承载体(3)的所述第一承载面(31)。

16.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述连接层(4) 是粘合层。

17.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述连接层(4) 被构造为对于在所述有源区(21)内生成的辐射是可透射的。

18.根据权利要求1至7之一所述的半导体芯片，其中，所述连接层(4) 被构造为电绝缘的。