[发明专利]硅氧化膜的形成方法、等离子体处理装置和存储介质无效
| 申请号： | 200780035987.9 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101517716A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 壁义郎;小林岳志;盐泽俊彦;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L27/04;H01L21/76;H01L29/78;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 等离子体 处理 装置 存储 介质 | ||
1.一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：
第一氧化处理工序，其在等离子体处理装置的处理室内，以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为0.133～133Pa的第一处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和
第二氧化处理工序，其接着所述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化所述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜并且改善所述硅氧化膜的膜质，
相对于在所述第一氧化处理工序和所述第二氧化处理工序中形成的所述硅氧化膜的合计膜厚，在所述第二氧化处理工序中形成的所述硅氧化膜的膜厚的比例为0.1～5％。
2.一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：
第一氧化处理工序，其在等离子体处理装置的处理室内，以处理气体中的氧的比例为1％以下、且压力为0.133～133Pa的第一处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜；和
第二氧化处理工序，其接着所述第一氧化处理工序，以处理气体中的氧的比例为20％以上、且压力为400～1333Pa的第二处理条件形成该处理气体的等离子体，利用该等离子体，氧化所述被处理体表面，进一步形成硅氧化膜并且改善所述硅氧化膜的膜质，
所述第二氧化处理工序的所述处理气体中的氧的比例为20～50％。
3.根据权利要求1或2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
所述第二氧化处理工序的处理时间为1～600秒。
4.根据权利要求2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
相对于在所述第一氧化处理工序和所述第二氧化处理工序中形成的所述硅氧化膜的合计膜厚，在所述第二氧化处理工序中形成的所述硅氧化膜的膜厚的比例为0.1～5％。
5.根据权利要求1或2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
所述第一氧化处理工序的所述处理气体中的氧的比例为0.2～1％。
6.根据权利要求1或2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
在所述第一氧化处理工序中，所述处理气体以0.1～10％的比例包含有氢。
7.根据权利要求1或2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
处理温度为200～800℃。
8.根据权利要求1或2所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：
所述等离子体是利用所述处理气体、和通过具有多个隙缝的平面天线导入到所述处理室内的微波形成的微波激励等离子体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
