[发明专利]具有凹陷场板的功率金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种形成在半导体管芯中的金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：

栅极沟槽，从所述管芯的表面延伸，所述栅极沟槽包括栅极电极，所述 栅极电极通过第一介电层与所述管芯隔离，所述第一介电层包括在所述栅极 沟槽底部的第一段以及在所述栅极沟槽的侧壁的第二段，所述第一段比所述 第二段厚；

第一凹陷场板(RFP)沟槽，从所述管芯的表面延伸，所述第一凹陷场 板沟槽包含第一凹陷场板电极，所述第一凹陷场板电极通过第二介电层与所 述管芯隔离；

第二凹陷场板沟槽，从所述管芯的表面延伸，所述第二凹陷场板沟槽包 含第二凹陷场板电极，所述第二凹陷场板电极通过第三介电层与所述管芯隔 离，所述栅极沟槽位于所述第一凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场板沟槽之 间；

所述管芯的在所述栅极沟槽和所述第一凹陷场板沟槽之间的台面；

所述台面中的第一导电型的源极区，邻近所述管芯的表面和所述栅极沟 槽的侧壁；

第二导电型的体区，邻近所述栅极沟槽的侧壁和所述源极区，所述第二 导电型与所述第一导电型相反；

体接触区，邻接所述第一凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场板沟槽以及所 述体区，掺杂有所述第二导电型的掺杂剂并具有比所述体区的掺杂浓度大的 掺杂浓度；

所述第一导电型的漏极漂移区，邻近所述体区；和

源极接触层，包括导电材料，所述第一凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场 板沟槽的顶面凹陷在所述管芯的表面以下的水平，使得所述源极接触层与所 述源极区和所述体接触区接触，

其中所述第一凹陷场板电极和所述第二凹陷场板电极各自的底部位于 在所述管芯的表面以下比所述栅极电极的底部深的水平，并且其中所述第一 凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场板沟槽各自的深度在所述栅极沟槽的深度 的+/-10％内，

其中所述体接触区延伸到所述管芯的表面以下比所述体区的底部深的 水平。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一 凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场板沟槽各自的深度在所述栅极沟槽的深度 的+/-5％内。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述栅极 沟槽与所述第一凹陷场板沟槽和所述第二凹陷场板沟槽的距离相等。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中在所述第 一凹陷场板沟槽和所述栅极沟槽之间的区域中的所述漏极漂移区的掺杂浓 度小于在所述栅极沟槽以下的区域中的所述漏极漂移区的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一 凹陷场板电极和所述第二凹陷场板电极包括掺杂有所述第一导电型的掺杂 剂的多晶硅。

6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述第一 凹陷场板电极和所述第二凹陷场板电极包括掺杂有所述第二导电型的掺杂 剂的多晶硅。

7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述源极 接触层包括钨塞，所述钨塞与所述凹陷场板电极接触。