[发明专利]衬底形的粒子传感器有效
| 申请号： | 200780036092.7 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101517701A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·J·伯恩西奥里尼;克雷格·C·拉姆齐;德尔克·H·加德纳;费利克斯·J·舒达 | 申请（专利权）人： | 赛博光学半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 粒子 传感器 | ||
1.一种衬底形粒子传感器，包括：
衬底形的基部部分；
电子仪器外壳，所述电子仪器外壳设置在所述衬底形的基部部分上；
电源，所述电源设置在所述电子仪器外壳内；
控制器，所述控制器操作地连接到所述电源；和
粒子传感器，所述粒子传感器操作地连接到所述控制器，其中所述粒子传感器采用光源，所述光源产生光束，所述光束被垂直地进行准直，但是水平地分开，使得在不进行物理扫描的情况下增大角度范围。
2.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述光源是激光光源。
3.如权利要求2所述的衬底形粒子传感器，还包括至少一个反射镜，所述束在沿接近并平行于所述电子仪器外壳的表面的平面的光学路径上与所述反射镜相互作用。
4.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述光源是发光二极管光源。
5.如权利要求4所述的衬底形粒子传感器，还包括至少一个反射镜，所述束在沿接近并平行于所述电子仪器外壳的表面的平面的光学路径上与所述反射镜相互作用。
6.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述粒子传感器采用测量积聚的粒子的质量的装置。
7.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述装置是MEMS装置。
8.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，还包括无线通信模块，所述无线通信模块连接到所述控制器，并构造成当所述衬底形粒子传感器位于晶片处理系统内时通信粒子感测信息。
9.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述控制器构造成在所述传感器感测的参数的基础上计算晶片处理系统内存在的粒子的数量。
10.如权利要求9所述的衬底形粒子传感器，还包括显示器，所述显示器操作地连接到所述控制器并构造成提供粒子数量的指示。
11.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，还包括显示器，所述显示器操作地连接到所述控制器并构造成提供关于粒子数量的指示。
12.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，还包括复位按键，所述复位按键操作地连接到所述控制器。
13.如权利要求11所述的衬底形粒子传感器，其中所述显示器基于晶片处理系统内探测的粒子的水平来指示合格/不合格。
14.如权利要求1所述的衬底形粒子传感器，其中所述传感器构造成提供粒子尺寸的指示。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛博光学半导体公司，未经赛博光学半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780036092.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
