[发明专利]等离子体氧化处理方法、存储介质和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200780036177.5 | 申请日： | 2007-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101523574A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 小林岳志;北川淳一;壁义郎;盐泽俊彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L29/78;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 氧化 处理 方法 存储 介质 装置 | ||
1.一种等离子体氧化处理方法，其特征在于，包括：
将表面由硅构成且在表面上具有凹凸形状的图案的被处理体搬入 等离子体处理装置的处理室内的步骤；
向所述处理室内供给Ar气体、氧气和氢气的处理气体的步骤；
以使得所述处理气体中的氧的比例在20％以上的方式供给所述氧 气、且在处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成所述处理气 体的等离子体的步骤；和
利用所述等离子体，对所述凹凸形状的表面的硅进行氧化而形成 硅氧化膜的步骤，其中，
所述等离子体，在所述处理气体中的氧的比例在20％以上、氢的 比例为0.1～10％、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下，在 所述处理室内被形成。
2.一种等离子体氧化处理方法，其特征在于，包括：
将表面由硅构成且在表面上具有凹凸形状的图案的被处理体搬入 等离子体处理装置的处理室内的步骤；
向所述处理室内供给Ar气体和氧气的处理气体的步骤，
以使得所述处理气体中的氧的比例在20％以上的方式供给所述氧 气、且在处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成所述处理气 体的等离子体的步骤；和
利用所述等离子体，对所述凹凸形状的表面的硅进行氧化而形成 硅氧化膜的步骤，其中，
所述等离子体，在所述处理气体中的氧的比例在20％以上、所述 处理气体不含氢、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下，在 所述处理室内被形成。
3.如权利要求1或2所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：
所述处理压力在400Pa以上667Pa以下。
4.如权利要求1或2所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：
所述处理气体中的氧的比例为25～100％。
5.如权利要求1或2所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：
形成硅氧化膜时的被处理体的温度为200～800℃。
6.如权利要求1或2所述的等离子体氧化处理方法，其特征在于：
所述被处理体的所述凹凸形状的图案形成有该凹凸稀疏的区域和 密集的区域。
7.如权利要求1～6中任一项所述的等离子体氧化处理方法，其特 征在于：
所述等离子体为由通过具有多个缝隙的平面天线导入所述处理室 内的微波对所述处理气体进行激励而形成的微波激励等离子体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
