[发明专利]导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法有效
| 申请号： | 200780036318.3 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101523517A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 井原孝;藤本孝弘 | 申请（专利权）人： | 鹤见曹达株式会社;东亚合成株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C08J7/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 蚀刻 图案 方法 | ||
1.一种将导电性高分子予以图案化的方法，其中使用导电性高分子用 蚀刻液，所述导电性高分子用蚀刻液含有超过0.5重量％且70重量％以下 的(NH4)2Ce(NO3)6或者0.5重量％以上且30重量％以下的Ce(SO4)2，
所述导电性高分子是聚乙炔类、聚对亚苯基类、聚对亚苯基亚乙烯基 类、聚亚苯基类、聚亚噻嗯基亚乙烯基类、聚芴类、多并苯类、聚苯胺类 、聚吡咯类或聚噻吩类。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电性高分子用蚀刻液含有 (NH4)2Ce(NO3)6，并且含有超过0.1重量％且70重量％以下的硝酸。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电性高分子用蚀刻液含有 (NH4)2Ce(NO3)6，并且含有超过0.1重量％且60重量％以下的HClO4。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电性高分子用蚀刻液含有 Ce(SO4)2，并且含有超过0.1重量％且70重量％以下的硝酸。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述导电性高分子用蚀刻液含有 Ce(SO4)2，并且含有超过0.1重量％且40重量％以下的硫酸。
6.如权利要求1所述的方法，其中，导电性高分子是聚苯胺类、聚吡 咯类或聚噻吩类。
7.如权利要求1所述的方法，其中，导电性高分子是聚苯胺类或聚噻 吩类。
8.如权利要求1所述的方法，其中，导电性高分子是聚(3，4-亚乙基 二氧基噻吩)。
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