[发明专利]用于基板定位的偏移校正方法

说明书

背景技术

[0001]等离子处理的进步促进了半导体工业的增长。一般来说， 从单一处理后的基板上切割下来的裸片(die)上可以创建若干个半 导体器件。为了对基板进行处理，基板需要放置在等离子处理室内 的基板夹头上。基板在基板夹头上的位置决定了要对基板的哪一部 分进行处理以形成器件。

[0002]现在存在将基板与基板夹头中心对齐的方法。在一个例 子中，在处理模块中放置传感器以确定基板相对于基板夹头的位 置。在另一个例子中，利用如制导机械臂等对位夹具(alignment fixture)来将基板与基板夹头对齐。尽管跟硬件中心(例如基板夹 头中心)对齐可以达到某种精度，但是与硬件中心对齐并不总是等 同于与处理中心(process center)对齐。

[0003]这里讨论的硬件中心指的是硬件(如基板夹头)的中心。 这里讨论的处理中心指的是等离子处理的焦点中心。理想情况下， 在距离焦点中心的任何给定径向距离，处理结果(例如刻蚀速率) 是一样的。例如，在离处理中心100mm的距离上，当沿着一个以焦 点处理中心为圆心、半径为100mm的圆运动时，刻蚀速率被期望会 大致维持一个常数。因为处理室配置的特性，处理中心可能不会总 是与硬件中心一致。结果是，在基板处理过程中，仅仅以硬件中心 作为基础进行对齐可能导致误对齐(misalignment)。随着制造商努 力提高良率，他们在使等离子处理中基板中心更精确地对齐在处理 中心上作出了不懈的努力，以减少基板误对齐导致的器件缺陷。

发明内容

[0004]在一个实施方式中，本发明涉及一种计算处理室内的夹 头的处理中心的方法，该方法包括在基板处理前，生成一组处理前 测量数据点，包括测量在其上具有薄膜的基板的厚度。该测量发生 在一组角度和到该基板的几何中心的一组距离上。该方法还包括在 该基板处理后，生成一组处理后测量数据点，包括测量该基板的厚 度。该测量至少发生在该组角度和到该基板的几何中心的该组距离 上。该方法还包括比较该组处理前测量数据点与该组处理后测量数 据点，以计算出一组刻蚀深度值。该方法还包括生成针对该组角度 的一组刻蚀曲线。该方法还包括从该组刻蚀曲线中推出一组半径。 该组半径与第一刻蚀深度相关。该方法还包括生成离心曲线，该离 心曲线为该组半径相对于该组角度的图形形式。而且，该方法还包 括将曲线拟合方程应用于该离心曲线以计算该处理中心。

[0005]在另一个实施方式中，本发明涉及一种包含嵌入了计算 机可读代码的程序存储介质的制造品。该计算机可读代码被配置为 计算处理室内夹头的处理中心。该制造品包括计算机可读代码，用 以在基板处理前生成一组处理前测量数据点，包括测量在其上具有 薄膜的基板的厚度。该测量发生在一组角度和到该基板的几何中心 的一组距离上。该制造品还包括计算机可读代码，用以在该基板处 理后生成一组处理后测量数据点，包括测量该基板的厚度。该测量 至少发生在该组角度和到该基板的几何中心的该组距离上。该制造 品还包括计算机可读代码，用以比较该组处理前测量数据点与该组 处理后测量数据点，以计算出一组刻蚀深度值。该制造品还包括计 算机可读代码，用以生成针对该组角度的一组刻蚀曲线。该制造品 还包括计算机可读代码，用以从该组刻蚀曲线中推出一组半径。该 组半径与第一刻蚀深度相关。该制造品还包括计算机可读代码，用 以生成一离心曲线，该离心曲线是该组半径相对于该组角度的图形 表示。而且，该制造品还包括计算机可读代码，用以将曲线拟合方 程应用于该离心曲线以计算该处理中心。

[0006]在另一个实施例中，本发明涉及一种用以计算处理室内 的夹头的处理中心的计算机完成的方法。该方法包括在基板处理前 生成一组处理前测量数据点，包括测量在其上具有薄膜的基板的厚 度。该测量发生在一组角度和到该基板的几何中心的一组距离上。 该方法还包括在该基板处理后生成一组处理后测量数据点，包括测 量该基板的厚度。该测量至少发生在该组角度和到该基板的几何中 心的该组距离上。该方法还包括比较该组处理前测量数据点与该组 处理后测量数据点，以计算出一组刻蚀深度值。该方法还包括生成 针对该组角度的一组刻蚀曲线。该方法还包括从该组刻蚀曲线中推 出一组半径。该组半径与第一刻蚀深度相关。该方法还包括生成一 离心曲线，该离心曲线是该组半径相对于该组角度的图形表示。而 且，该方法还包括将曲线拟合方程应用于该离心曲线以计算该处理 中心。