[发明专利]金属的陶瓷被膜涂布方法和用于该方法的电解液以及陶瓷被膜和金属材料

权利要求书

1.金属的陶瓷被膜涂布方法，所述方法为在电解液中，将金属基体作为工作电极，在所述金属基体的表面上产生辉光放电和/或电弧放电的同时进行电解处理，在所述金属基体的所述表面上形成陶瓷被膜的金属的陶瓷被膜涂布方法，

其中，所述电解液含有平均粒径1μm以下的氧化锆粒子，将所述电解液中所述氧化锆粒子之含量表示为X，将氧化锆以外的选自Mg、Al、Si、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi、Ce、Nd、Gd和Ac的至少1种元素的化合物之含量表示为Y时，满足下式(1)-(3)，pH为7.0以上，

0.05g/L≤X≤500g/L     (1)

0g/L≤Y≤500g/L       (2)

0≤Y/X≤10           (3)。

2.权利要求1的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解液含有平均粒径1μm以下的氧化钛粒子。

3.权利要求1或2的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述氧化锆粒子中的氧化锆的结晶结构是非晶态和/或单斜晶。

4.权利要求1-3中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解液的电导率为0.05S/m以上。

5.权利要求1-4中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解液中的所述氧化锆粒子的ζ电位低于0mV。

6.权利要求1-5中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解液含有水溶性磷化合物。

7.权利要求1-6中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解液含有水溶性锆化合物。

8.权利要求1-7中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解处理通过具有阳极极化的单极性电解或具有阳极极化和阴极极化的双极性电解进行。

9.权利要求1-8中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，用于所述电解处理的电压波形的电压最大值为300V以上。

10.权利要求8或9的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述电解处理使所述氧化锆粒子中的氧化锆产生结晶结构相变，在所述陶瓷被膜中析出。

11.权利要求10的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述结晶结构相变的一部分或者全部是自非晶态和/或单斜晶的结晶结构相变为正方晶和/或立方晶的结晶结构。

12.权利要求1-11中任一项的金属的陶瓷被膜涂布方法，其中，所述金属基体由选自铝、钛、镁和它们的合金的至少1种构成。

13.金属的陶瓷被膜涂布用电解液，所述电解液含有平均粒径1μm以下的氧化锆粒子，将所述氧化锆粒子之含量表示为X，将氧化锆以外的选自Mg、Al、Si、Ca、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ba、La、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Bi、Ce、Nd、Gd和Ac的至少1种元素的化合物之含量表示为Y时，满足下式(1)-(3)，pH为7.0以上，

0.05g/L≤X≤500g/L     (1)

0g/L≤Y≤500g/L       (2)

0≤Y/X≤10            (3)。

14.权利要求13的金属的陶瓷被膜涂布用电解液，所述电解液含有0.04-400g/L的平均粒径1μm以下的氧化钛粒子作为氧化钛。

15.权利要求13或14的金属的陶瓷被膜涂布用电解液，其中，所述氧化锆粒子中氧化锆的结晶结构为非晶态和/或单斜晶。

16.权利要求13-15中任一项的金属的陶瓷被膜涂布用电解液，所述电解液的电导率为0.05S/m以上。

17.权利要求13-16中任一项的金属的陶瓷被膜涂布用电解液，其中，所述氧化锆粒子的ζ电位低于0mV。