[发明专利]光电子器件

权利要求书

1.一种具有至少一个半导体本体(1)和壳体(4)的光电子器件，所述至少一个半导体本体(1)具有用于产生电磁辐射的有源区域(2)，该壳体(4)带有在辐射方向上被置于有源区域(2)之后的过滤元件(5)，该过滤元件(5)对具有预给定的初级辐射特性的初级辐射部分(7)选择性地进行透射，其中

-具有与初级辐射特性不同的次级辐射特性的次级辐射部分(8)由过滤元件(5)来反射，

-过滤元件(5)朝半导体本体(1)的方向反射次级辐射部分(8)，

-次级辐射部分(8)在半导体本体(1)中受到偏转过程或者吸收过程和二次发射过程，并且

-被偏转的或者被二次发射的辐射(8′)射到过滤元件(5)上。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，初级辐射特性为初级辐射部分(7)的方向、偏振或/和波长。

3.根据权利要求1所述的光电子器件，其中，不仅初级辐射特性而且次级辐射特性都是辐射部分(7)的方向、偏振或/和波长。

4.根据权利要求1或3之一所述的光电子器件，其中，初级辐射特性与次级辐射特性互补。

5.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)为二向色性滤光器。

6.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)为偏振滤光器(10)。

7.根据上述权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)为方向滤光器。

8.根据权利要求7所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)具有多个结构元件(6)。

9.根据权利要求8所述的光电子器件，其中，结构元件(6)圆锥形地、三角锥状地、角锥台状地或者棱柱状地被构造。

10.根据权利要求8或9所述的光电子器件，其中，结构元件(6)根据二维栅格来布置。

11.根据权利要求7所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)具有介电层堆叠(9)。

12.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)含有玻璃材料。

13.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)被布置在壳体(4)中地或者被布置在壳体(4)上地被实施。

14.根据权利要求13所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)被实施为壳体(4)的盖。

15.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)与半导体本体(1)间隔开地被布置。

16.根据权利要求15所述的光电子器件，其中，过滤元件(5)与半导体本体(1)之间的间隔大于0μm且小于或等于10μm。

17.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，反射层被布置在有源区域的与过滤元件(5)相对的侧上。

18.根据权利要求17所述的光电子器件，其中，反射层含有金属。

19.根据权利要求17或18所述的光电子器件，其中，反射层被实施为金属层。

20.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，半导体本体(1)被布置在支承元件(3)上。

21.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，在有源区域(2)与过滤元件(5)之间布置将由有源区域(2)产生的辐射转换成其它波长的辐射的转换元件。

22.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，半导体本体(1)被实施为薄膜半导体本体。

23.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，该器件具有多个半导体本体(1)，每个半导体本体都具有用于产生电磁辐射的有源区域(2)。

24.根据权利要求23所述的光电子器件，其中，半导体本体(1)被布置在共同的支承元件(3)上。

25.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，该器件为发光二极管。

26.根据以上权利要求之一所述的光电子器件，其中，该器件发射不相干的辐射。