[发明专利]硅氧化膜的形成方法，等离子体处理装置以及存储介质

权利要求书

1、一种硅氧化膜的形成方法，其特征在于，包括：

在等离子体处理装置的处理室内配置在表面具有凸凹图案的硅制的被处理体的工序；和

形成处理气体的等离子体，对所述被处理体表面的硅作用该处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜的工序，

在所述形成硅氧化膜的工序中，在所述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下，且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件下，形成所述等离子体，并且在所述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的部件，经由该贯通孔向所述被处理体引导所述等离子体，对所述硅进行氧化而形成所述硅氧化膜。

2、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述处理气体中的氧的比例为0.5％以上10％以下。

3、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述处理压力为6.6Pa以上133.3Pa以下。

4、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述处理气体含有氢的比例为0.1％以上10％以下。

5、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

在形成处理气体的等离子体而形成硅氧化膜时，处理温度为200℃以上800℃以下。

6、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于：

所述等离子体为利用所述处理气体和微波形成的微波激励等离子体，所述微波利用具有多个缝隙的平面天线经过透过板而被导入到所述处理室内。

7、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述贯通开口的孔径为2.5mm以上12mm以下。

8、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

通过所述贯通开口的所述等离子体的电子温度为0.7eV以下。

9、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述贯通开口的开口率为10％以上20％以下。

10、如权利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

所述被处理体与具有所述贯通开口的部件的距离为3mm以上20mm以下。

11、如权利要求6所述的硅氧化膜的形成方法，其特征在于，

具有所述贯通开口的部件与所述透过板的距离为20mm以上50mm以下。

12、一种等离子体处理装置，其特征在于，具有：

用于对表面具有凸凹图案的硅制的被处理体进行处理的能够进行真空排气的处理室；

向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给部；

在所述处理室内产生所述处理气体的等离子体，对所述被处理体表面的硅作用该处理气体的等离子体进行氧化，而形成硅氧化膜的等离子体供给源；

调整所述处理室内的压力的排气装置；和

对所述处理气体供给部、所述等离子体供给源和排气装置进行控制的控制部，

在所述处理室内的等离子体产生区域和所述被处理体之间，配置划分所述处理室内的具有多个贯通开口的部件，

控制部对所述处理气体供给部、所述等离子体供给源和所述排气装置进行控制，以使得生成所述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下，且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件下的等离子体，并且经由具有所述贯通开口的部件的贯通口向所述被处理体引导所述等离子体，对硅进行氧化而形成硅氧化膜。

13、一种存储介质，其是存储在计算机中用于执行硅氧化膜的形成方法的计算机程序的存储介质，其特征在于：

硅氧化膜的形成方法包括，

在等离子体处理装置的处理室内配置在表面具有凸凹图案的硅制的被处理体的工序；和

形成处理气体的等离子体，对所述被处理体表面的硅作用该处理气体的等离子体而进行氧化，形成硅氧化膜的工序，

在所述形成硅氧化膜的工序中，在所述处理气体中的氧的比例为0.1％以上10％以下，且压力为0.133Pa以上133.3Pa以下的条件下，形成所述等离子体，并且在所述处理室内的等离子体产生区域和被处理体之间设置具有多个贯通开口的部件，经由该贯通孔向所述被处理体引导所述等离子体，对所述硅进行氧化而形成所述硅氧化膜。