[发明专利]用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法无效
| 申请号： | 200780036512.1 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101523568A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李相侑;白智钦;金秀烘;刘昌佑;尹星云 | 申请（专利权）人： | LG麦可龙电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑建晖;严业福 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 各向同性 蚀刻 形成 精细 图案 方法 | ||
1.一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；
(2)对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成的光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；
(3)在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及
(4)对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。
2.根据权利要求1的方法，进一步包括在步骤(3)之后将与已经受所述第一各向同性蚀刻工艺的预定部分对应的所述钝化层去除的步骤，其中，在步骤(4)中，对其中所述钝化层被去除的部分进行第二各向同性蚀刻工艺。
3.根据权利要求1或2的方法，其中，在步骤(3)中，所述钝化层沉积在已经受所述第一各向同性蚀刻工艺的部分上。
4.根据权利要求1或2的方法，其中所述半导体基片包括聚酰亚胺膜。
5.根据权利要求1或2的方法，其中，在步骤(2)中，进行所述第一各向同性蚀刻工艺直到从所述蚀刻层的与所述光致抗蚀剂层接触的上表面蚀刻掉所述蚀刻层的厚度的10％到50％。
6.根据权利要求1或2的方法，其中所述蚀刻层是金属层、绝缘层以及导体层之一。
7.根据权利要求2的方法，其中经受所述第一各向同性蚀刻工艺的所述预定部分是与在所述光致抗蚀剂图案中形成的沟槽的宽度对应的部分。
8.根据权利要求1或2的方法，其中所述光致抗蚀剂层是化学增强型光致抗蚀剂层。
9.根据权利要求1或2的方法，其中所述光致抗蚀剂具有在1到4μm范围内的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
