[发明专利]用于生产晶体硅基板的方法和设备

权利要求书

1.一种用于生产进料材料的连续带状物的设备，所述设备包括：

用于熔化所述进料材料的熔体腔室，所述熔体腔室具有出口；

被安置为从所述熔体腔室的所述出口接纳熔化的进料材料的生长 托盘；

挡板，所述挡板位于所述熔体腔室的所述出口中并且适于仅仅允 许熔化的进料材料流经所述出口并且流入所述生长托盘中，而将任何 固体保留在所述熔体腔室中；和

位于所述熔体腔室的所述出口下游的除热装置，该除热装置与所 述生长托盘中的所述熔化的进料材料隔开但是与该熔化的进料材料热 连通，所述除热装置包括可调节装置，该可调节装置适于调节从所述 生长托盘中的所述熔化的进料材料中辐射的热量。

2.根据权利要求1的设备，其中所述除热装置包括：

位于在所述熔体腔室的所述出口的下游的生长板上的烟囱状物， 所述烟囱状物适于允许热从所述生长托盘中的所述熔化的进料材料经 过所述烟囱状物向上辐射；并且其中所述可调节装置包括：

可枢转地安装于所述烟囱状物中并且可移动以控制经过所述烟囱 状物的热通道面积的至少一个节流板。

3.根据权利要求2的设备，包括：

所述生长托盘中的位于所述熔体腔室的所述出口下方的凹座，当 熔化的进料材料流经所述出口并且流入所述生长托盘中时，所述凹座 适于降低所述熔化的进料材料的溅落深度并且限制所述熔化的进料材 料的波纹形成。

4.根据权利要求3的设备，包括：

所述生长托盘中的位于所述凹座下游并且适于限制在所述生长托 盘中的所述熔化的进料材料中的波传播的突脊。

5.根据权利要求1的设备，包括：

使所述生长托盘支撑在其上的生长托盘基座；和

第一电加热装置，该第一电加热装置用于通过所述生长托盘基座 向所述生长托盘供应感应热，以在所述连续带状物生长期间保持熔化 的进料材料处于液相。

6.根据权利要求5的设备，其中所述熔体腔室包括：

倾注坩锅基座，在其上支撑所述倾注坩锅和所述挡板；和

第二电加热装置，该第二电加热装置用于通过所述倾注坩锅基座 向所述倾注坩锅供应感应热，以保持进料材料稍微低于它的熔点并且 根据要求调节热输入以控制熔化速率。

7.根据权利要求1的设备，其中所述进料材料包括半导体材料。

8.根据权利要求1的设备，其中所述进料材料包括硅。

9.一种用于生产进料材料的连续带状物的方法，所述方法包括：

在熔体腔室中熔化所述进料材料；

使得所述熔化的进料材料从所述熔体腔室流经位于所述熔体腔室 的出口中的挡板并且流入生长托盘中，并且允许所述熔化的进料材料 在所述生长托盘中形成水平的浅熔体池，其中所述挡板适于仅仅允许 熔化的进料材料流经所述出口并且流入所述生长托盘中，而将任何固 体保留在所述熔体腔室中；

通过从所述熔体池向上经过烟囱状物的热辐射而允许从所述熔体 池的热损失，所述烟囱状物位于所述熔体腔室下游；

在所述熔体池已经经历所述热损失的点，安置与所述熔体池接触 的模板，由此使所述模板在所述点处接附到所述熔化的进料材料；以 及

从所述熔体池拉离所述模板由此生产所述带状物。

10.根据权利要求9的方法，其中相对于所述熔体池的表面以1 °到15°的角度从所述熔体池拉离所述模板。

11.根据权利要求10的方法，包括：

在所述带状物生产期间，向所述生长托盘供热以保持所述熔体池 中的所述进料材料处于它的液相。

12.根据权利要求11的方法，还包括：通过调节经过所述烟囱状 物的流来调整从所述熔体池的所述热损失。

13.根据权利要求12的方法，其中通过在所述烟囱状物中移动至 少一个节流板以增加或者降低经过所述烟囱状物的热流动面积而调整 所述热损失。