[发明专利]模拟组合调节器

权利要求书

1.一种供电系统，其包含：

第一电流路径，其在第一供应节点与输出节点之间提供第一电流I₁；

第二电流路径，其在第二供应节点与所述输出节点之间提供第二电流I₂；及

控制电路，其用以通过向每一电流路径供应控制信号来调节所述输出节点处的电 压，所述控制电路可操作以在所述第一供应节点处的电压与所述第二供应节点处的电 压之间的差落在一电压范围内时沿所述电流路径分流被供应到所述输出节点的电流， 所述分流由一函数界定，所述函数被由两个阈值电压电平分界的三个区域表征，其中 所述三个区域包含第一区域、第二区域及第三区域，其中

在所述第一区域内I₁＞I₂，

在所述第二区域内I₁＝I₂，及

在所述第三区域内I₁＜I₂，

且否则从具有较高电压的所述供应节点供应所有所述输出电流。

2.如权利要求1所述的系统，其中当所述第二供应节点处的电压在所述电压范围 内增加时，被供应到所述输出节点的电流从所述第一电流路径平滑地转换到所述第二 电流路径。

3.如权利要求1所述的系统，其中当所述第一供应节点处的电压在所述电压范围 内增加时，被供应到所述输出节点的电流从所述第二电流路径平滑地转换到所述第一 电流路径。

4.如权利要求1所述的系统，其中所述控制电路通过供应所述控制信号以偏置所 述电流路径中的一者中的晶体管来分流所述电流。

5.如权利要求4所述的系统，其中所述第一电流路径包含具有连接到所述第一供 应节点的源极端子的第一PMOS晶体管。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述第二电流路径包含具有连接到所述第二供 应节点的源极端子的第二PMOS晶体管。

7.如权利要求6所述的系统，其中所述输出节点连接到所述第一电流路径中的所 述第一PMOS晶体管的漏极端子且连接到所述第二电流路径中的所述第二PMOS晶体 管的漏极端子。

8.如权利要求7所述的系统，其中所述控制电路提供偏置信号以调制所述第一及 第二PMOS晶体管。

9.如权利要求6所述的系统，其进一步包含栅极偏置电路，以在所述差落被所述 第二区域表征时，向所述第一PMOS晶体管的栅极端子及向所述第二PMOS晶体管的 栅极端子供应相同的电压。

10.如权利要求1所述的系统，其进一步包含智能卡，所述智能卡包括所述第一 电流路径、所述第二电流路径及所述控制电路。

11.如权利要求1所述的系统，其中所述电压范围的跨度高达1伏。

12.如权利要求1所述的系统，其中所述电压范围的跨度在0.2伏与0.8伏之间。

13.如权利要求1所述的系统，其中所述第一电流路径及所述第二电流路径各自 包含结型场效晶体管。

14.如权利要求1所述的系统，其中所述第一电流路径及所述第二电流路径各自 包含双极结型晶体管。

15.一种供电方法，其包含：

在电压调节器的第一输入处接收第一电压；

在所述电压调节器的第二输入处接收第二电压；

调节所述电压调节器的输出处的电压；及

当所述第一电压与所述第二电压之间的差落在一电压范围之外时，仅从具有较高 输入电压的输入向所述输出供应电流，且当所述第一与第二电压之间的差落在所述电 压范围内时，向所述输出供应电流使得从所述第一及第二输入中的每一者供应的所述 电流根据其相应输入处的电压来分流。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述电压范围取决于晶体管的栅极到源极阈 值电压。