[发明专利]薄膜半导体元件及元件复合结构有效
| 申请号： | 200780036707.6 | 申请日： | 2007-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101542752A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | S·赫尔曼;B·哈恩 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体 元件 复合 结构 | ||
1.一种薄膜半导体元件(1)，具有：
-承载层(2)，所述承载层(2)是箔，
-设置在所述承载层(2)上的层堆叠(8)，所述层堆叠包含半导体材 料并用以发出辐射，以及
-在所述承载层(2)上施加的用以冷却所述薄膜半导体元件(1)的 散热层(3)，
-其中所述散热层(3)设置在所述层堆叠(8)和所述承载层(2)之间 并且在所述层堆叠(8)的三面延伸超出所述层堆叠(8)，
-其中所述散热层(3)形成为封闭平面，其中限制所述封闭平面的 侧边成曲线走向，其中所述散热层(3)具有内凹的侧边和与所述内凹的 侧边相对的外凸的侧边，以及
-所述层堆叠(8)被设置在所述内凹的侧边旁。
2.根据权利要求1的薄膜半导体元件(1)，其中，所述散热层(3) 具有至少与所述层堆叠(8)的基面同样大的基面。
3.根据上述权利要求中任一项的薄膜半导体元件(1)，其中，所 述散热层(3)的厚度(Dw)在1至2位数的微米范围内。
4.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载 层(2)包含塑料。
5.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载 层(2)具有第一子层(2a)和第二子层(2b)以及其中，所述第一子层(2a) 是施加在所述第二子层(2b)上的层以及所述第二子层(2b)是箔。
6.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，所述承载 层(2)的厚度小于或等于100μm。
7.根据权利要求1或2的薄膜半导体元件(1)，其中，在所述层 堆叠(8)的与所述承载层(2)相对的一侧上设置用于覆盖所述层堆叠(8) 的覆盖层(10)。
8.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10) 是箔。
9.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10) 包含透明材料。
10.根据权利要求7的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层(10) 具有光学结构。
11.根据权利要求10的薄膜半导体元件(1)，其中，所述覆盖层 (10)被部分镜面化。
12.一种元件复合结构(13)，该复合结构具有至少两个根据权利 要求1至11中任一项的薄膜半导体元件(1)，其中，所述薄膜半导体 元件(1)具有共同的承载层(2)。
13.根据权利要求12的元件复合结构(13)，其中，在所述承载层 (2)上在所述层堆叠(8)之间施加用于所述层堆叠(8)的释放侧电接触的 共同接触垫(12)。
14.根据权利要求12或13的元件复合结构(13)，其中，所述薄 膜半导体元件(1)串联连接。
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