[发明专利]使用通过光交联固化形成的抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。

2.一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序；将被所述下层膜和光致抗蚀剂被覆的半导体基板进行曝光的工序；曝光之后将光致抗蚀剂进行显影的工序；使用显影后的抗蚀剂图案将下层膜进行干蚀刻的工序；以及用得到的抗蚀剂图案加工半导体基板的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，上述聚合物是主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环或它们的组合的聚合物。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置的制造方法，聚合物中苯环的含量为30～70质量％。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的半导体装置的制造方法，聚合物是含有内酯结构的聚合物。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置的制造方法，上述聚合物至少具有式(1)的结构单元，

式(1)

其中，式(1)中，Q表示连接P与R¹的二价连接基团，R¹表示碳原子数2～碳原子数4的三价烃基，P表示构成主链的结合基团，R²表示氢原子、甲基或卤素原子。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体装置的制造方法，上述聚合物是由式(2)所示的聚合物构成的，

上式中，x和y表示重复单元的个数，x＝5～5000，y＝2～5000，Q表示连接构成主链的碳原子与R¹的二价连接基团，R¹表示碳原子数2～碳原子数4的三价烃基，R²和R³表示氢原子、甲基或卤素原子，R⁴表示氢原子、取代或非取代的碳原子数1～10的烷基、取代或非取代的芳烷基、取代或非取代的碳环式芳香族基团、或者取代或非取代的杂环式芳香族基团，结构单元(A’)为1～76摩尔％，结构单元(B)为99～24摩尔％。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体装置的制造方法，所述聚合物是在248nm、193nm或157nm具有吸收的结构。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体装置的制造方法，上述交联剂具有至少2个形成交联的官能团。