[发明专利]半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体用膜、半导体用膜的制造方法及半导体装置。

背景技术

近年来，随着电子机器的高性能化及移动用途的扩大，加强了对半导体装置的高密度化、高集成化的要求，从而不断推进IC封装件的大容量高密度化。作为该半导体装置的制造方法，例如，在硅、钾、砷等构成的半导体晶片上贴合粘结片，用晶片环固定半导体晶片的周围并且在切割(Dicing)工序将上述半导体晶片切割分离成各个半导体元件(单片化)，然后，在扩展(Expanding)工序，进行单片化的半导体元件的拾取，接下来，移送到将该半导体元件搭载在金属引线框或基板(例如，卷带基板(Tape Substrate)、有机硬质基板等)上的芯片接合工序(Die Bonding)。

拾取到的半导体元件，在芯片接合工序中，通过液状环氧粘结剂等的液状芯片粘结(Die attach)材料粘合在引线框或基板上，从而制造半导体装置。

为了适用半导体元件的多级式叠合需要推进半导体晶片的薄型化，但是，难以使用现有技术的芯片接合材料树脂膏进行涂布适量的粘合剂。即，有时树脂膏会从半导体元件溢出或者树脂膏固化后半导体元件会发生弯曲，从而在组装进封装件时可靠性降低。另外，树脂膏的涂布工序繁杂、为了简化程序，也要求对其进行改善或改进。

为了解决该问题，已提出了使用膜状粘合剂代替液状芯片粘结材料作为芯片粘结材料来使用的方案，其中，一部分已经在使用(例如，参照专利文献1：JP特开2002-353252号公报，专利文献2：JP特开2002-294177号公报)。而且，为了缩短工序，也有一部分在使用将粘结片与膜状芯片粘结材料形成一体的粘结粘合膜。

发明内容

在上述粘结片与膜状芯片粘结材料形成一体的粘结粘合膜中，预定在半导体晶片上贴合的部分与预定在晶片环上贴合的部分，要求的性能不同。因此，本发明的目的是，提供一种能够满足该两种不同要求的半导体用膜。

为了达成上述目的，本发明提供下述(1)～(7)。

(1)一种半导体用膜，按照粘合层、第一粘结层、第二粘结层的顺序进行贴合而成，上述第二粘结层的外周部超过上述第一粘结层的外周边缘，该半导体用膜是用于在上述粘合层的与第一粘结层相反侧的表面上层叠半导体用晶片并且在上述第二粘结层的上述外周部上贴合晶片环切断该半导体用晶片时的半导体用膜，其特征在于，上述第一粘结层相对于上述粘合层的粘合力A₁(cN/25mm)比上述第二粘结层相对于上述晶片环的粘合力A₂(cN/25mm)低。

(2)如上述(1)所述的半导体用膜，其中，粘合力A₁与粘合力A₂的比(A₂/A₁)为1.2～100。

(3)如上述(1)所述的半导体用膜，其中，粘合力A₁为10～80cN/25mm。

(4)如上述(1)所述的半导体用膜，其中，粘合力A₂为100～1000cN/25mm。

(5)如上述(1)所述的半导体用膜，其中，上述粘合层相对于上述半导体用晶片的粘合力A₃(cN/25mm)比上述粘合力A₁(cN/25mm)大。

(6)如上述(1)所述的半导体用膜，其中，上述粘合层具有脱模膜。

(7)一种半导体用膜的制造方法，其是在第一基材膜上形成上述(1)所述的半导体用膜的半导体用膜的制造方法，其特征在于，具有：以上述粘合层与上述第一粘结层相邻接的方式，对由上述第一基材膜与上述粘合层层叠而成的粘合层中间体和上述第一粘结层进行层叠，从而得到第一层叠体的工序；对于上述层叠体以保留上述第一基材膜的方式除去上述粘合层和上述第一粘结层的有效区域的外周的工序；以第二基材膜上层叠上述第二粘结层而成的第二粘结层中间体的第二粘结层与上述第一粘结层相邻接的方式进行层叠的工序。

(8)一种半导体装置，其特征在于，使用上述(1)所述的半导体用膜制造而成。

附图说明

图1是表示半导体用膜的一例的剖面图。

图2是表示半导体用膜的一例的剖面图。

图3是表示半导体用膜的制造工序的剖面图。

图4是表示半导体用膜的制造工序的剖面图。

图5是表示半导体用膜的其它的制造工序的剖面图。

图6是表示半导体元件的制造工序的示意图。

具体实施方式

下面对本发明的半导体用膜以及半导体装置进行详细地说明。